El diodo semiconductor está compuesto de silicio dopado con impurezas para crear regiones tipo n y tipo p. Cuando estas regiones se unen, los electrones difunden de la región n a la p, creando una diferencia de potencial de 0.7V. El diodo conduce corriente fácilmente en la dirección directa pero bloquea la corriente en la inversa, excepto una pequeña corriente de fugas.