Unión
- 1. DIODO DE UNIÓN PN POLARIZADO Se denomina diodo de unión p-n al dispositivo constituido mediante una unión P- N con dos terminales y cuyo objetivo, en general, será conducir corriente eléctrica en un solo sentido. En este applet se simula El diodo de unión PN polarizado considerando sus características de: arrastre, recombinación, difusión, electrones y huecos. Se entiende como polarización de una unión P-N a la aplicación externa de una diferencia de potencial continua o con un determinado sentido a la unión. La polarización del diodo puede ser en directa o en inversa, como veremos a continuación. La reducción del campo eléctrico de la unión reduce el efecto de arrastre Al ser la zona de transición más estrecha, aumenta el gradiente de las distintas concentraciones de portadores en ella y consecuentemente, aumenta el efecto de difusión No se alcanza el equilibrio, produciéndose una circulación neta de carga por el circuito. De esta forma, la corriente en la unión es por difusión y fuera de ella por arrastre.
- 2. MENOR VOLTAJE Aumenta la zona de agotamiento, disminuye difusión y la recombinación de los electrones y huecos. MAYOR VOLTAJE Se reduce la zona de agotamiento, aumenta la difusión, la recombinación de los electrones y huecos
- 3. LA LEY DE SHOCKLEY A mayor voltaje de entrada se observa lo siguiente: Se reduce la zona de agotamiento, se incrementala recombinación de los electrones y huecos, modificando la curva característica del diodo. A menor voltaje de entrada se observa lo siguiente: Aumenta la zona de agotamiento, disminuye la difusión y la recombinación de los electrones y huecos modificando la curva característica del diodo.
- 4. CONMUTACIÓN DEL DIODO En este applet se simula la conmutación de un diodo, pudiendo cambiar la tensión aplicada en sus bornas de positiva a negativa y viceversa. Para ello se dispone del esquema de un circuito con dos fuentes de tensión (una positiva y otra negativa) y un conmutador, un circuito de polarización (que incluye una resistencia) y un diodo de unión. Este esquema se situa en la parte superior derecha del applet y se puede conmutar entre tensiones haciendo "click" con el ratón en la zona entre las dos fuentes de tensión. Al iniciar la aplicación aparecerá un mensaje y una flecha que señala la mencionada zona sensible. El usuario puede modificar todos los parámetros del circuito presionando el botón del panel superior con el texto "Parámetros ciscuito". Al presionarlo aparecerá una ventana con tres campos editables donde se pueden introducir los valores numéricos deseados para la tensión directa (VF), la tensión inversa (VR) y la resistencia de polarización (R). Tras introducir los nuevos valores es necesario pulsar el botón "Aceptar" de la ventana de los parámetros del circuito para que tengan efecto los cambios. Debajo del circuito aparecen cuatro gráficas que varían en el tiempo y donde se representan los parámetros más importantes que controlan el comportamiento del diodo. La primera gráfica representa la tensión seleccionada en el circuito; la segunda la corriente que circula por el diodo; la tercera la carga acumulada en las zonas neutras del diodo (aplicando la aproximación de diodo asimétrico) y la última gráfica es la tensión que cae en bornas del diodo. Esta cuatro gráficas se van actualizando en el tiempo y se irán desplazando hacia la derecha conforme avance el tiempo.
- 5. En el applet se pueden ingresar los parámetros del circuito y del diodo.