Capitulo 1 diodos

Eletrônica Básica – 2005 Capitulo 1 - Diodo
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Capítulo 1 – Diodos
1.1- Teoria Básica dos Semicondutores
1.1.1 – O átomo e sua constituição
• átomos: partícula elementar da matéria, que, se subdividida, faz o
elemento perder suas características.
• Cada elemento tem uma estrutura própria
• Molécula: menor porção possível de conjunto de átomos
• Composição atômica
o prótons estão sempre presentes no núcleo e têm carga elétrica
positiva.
o nêutrons podem estar ou não presentes no núcleo e não têm
carga elétrica. Sua massa é próxima da do próton.
o elétrons estão sempre nas órbitas e têm carga elétrica
negativa, mas de magnitude igual à do próton
o átomo é caracterizado pela quantidade de prótons no núcleo –
número atômico
Lítio – 3 prótons, 4 nêutrons e 3 elétrons
• Isótopos: mesmo elemento com diferentes números de nêutrons
• Carga elétrica é nula: 3 prótons e 3 elétrons
• Ligação do elétron com o átomo pode ser rompida ou
adicionada
o Íon positivo ou íon negativo
1.1.2 - Níveis de energia
• Distribuição dos elétrons em torno do núcleo não é aleatória.

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• Um elétron tem uma energia potencial que depende da sua distância
até o núcleo
• energia cinética que depende da sua velocidade.
• soma de ambas é a energia total do elétron.
• A energia total que o elétron pode ter é definida em valores
discretos
• O elétron só pode ocupar determinadas órbitas ou níveis de energia.
• Os níveis possíveis são sete e estão representados na Fig 2.
• Número máximo de elétrons em cada nível: limitado princípio de
exclusão de Pauli
• 2n2
onde n é o número do nível.
o Nível 1 poderá no máximo 2,
o Nível 2 no máximo 8
• Regra geral na natureza: estabilização na menor energia possível.
o Níveis são preenchidos na seqüência do menor para o maior e
um nível só poderá conter elétrons se o anterior estiver
completo.
o Elétrons em cada nível ocupam subníveis e cada um pode
conter um número máximo de elétrons
o subníveis são designados pelas letras s, p, d e f e os valores
máximos são respectivamente 2, 6, 10 e 14.
1.1.3 - Valência
• elétrons em um átomo de cobre, número atômico 29.

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• O nível mais externo (4, neste exemplo) é chamado de nível de
valência
• e os elétrons presentes nele são os elétrons de valência.
• O número de elétrons de valência:
o define a capacidade do átomo de ganhar ou perder elétrons e de
se combinar com outros elementos.
o propriedades químicas e elétricas dependem da valência.
• Para este caso do cobre: 1s2
2s2
2p6
3s2
3p6
3d10
4s1
.
1.1.4 – Bandas de Energia
• Átomos juntos num material sólido:
o as forças de interação entre os mesmos são significativas.
o provoca uma alteração nos níveis de energia acima da valência.
o podem existir níveis de energia não permitidos, logo acima da
valência.
• Condução de eletricidade:
• os elétrons de valência, sob ação de um potencial elétrico
aplicado, saltem do nível de valência para um nível ou banda de
condução.
• material condutor:
o não existem níveis ou banda de energia proibida entre a
condução e a valência;
o a corrente flui facilmente sob a ação do campo elétrico.

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• material isolante: tem uma larga banda proibida entre a valência
e condução. E dificilmente haverá condução da corrente.
• semicondutores: possuem bandas proibidas com larguras
intermediárias. Isto significa que podem apresentar alguma
condução, melhor que os isolantes mas pior que os condutores.
1.1.5 – Impurezas em Materiais Semicondutores
o capacidade de um átomo de se combinar com outros depende do
número de elétrons de valência.
o A combinação só é possível quando este é menor que 8.
o Elementos com 8 elétrons de valência não se combinam. São estáveis
e inertes.
o silício, semicondutor mais usado e tem 4 elétrons de valência.
o No estado puro cada, par de elétrons de átomos distintos formam a
chamada ligação covalente, de forma que cada átomo fique no estado
mais estável, isto é, com 8 elétrons na camada externa.
o estrutura cristalina homogênea, tridimensional.
o O material continua um semicondutor.
o Quando certas substâncias, chamadas impurezas são adicionadas, as
propriedades elétricas são radicalmente modificadas.
o elemento antimônio, que tem 5 elétrons de valência, for adicionado
o alguns átomos deste substituírem o silício na estrutura cristalina;

5
o 4 dos 5 elétrons irão se comportar como se fossem os de valência do
silício e o excedente será liberado para o nível de condução ;
o O cristal irá conduzir e, devido à carga negativa dos portadores
(elétrons), é denominado semicondutor tipo n.
o material continua eletricamente neutro pois os átomos têm o mesmo
número de prótons e elétrons.
o a distribuição de cargas muda, de forma a permitir a condução.
o impureza com 3 elétrons de valência (alumínio, por exemplo) é
adicionada.
o Alguns átomos de silício irão transferir um elétron de valência para
completar a falta no átomo da impureza;
o Cria-se um buraco positivamente carregado no nível de valência e o
cristal será um semicondutor tipo p, devido à carga positiva dos
portadores (buracos).

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1.2 - Junção PN
1.2.1 – Condução em Cristais
Metais
• Elétron do átomo de cobre na última camada: órbita extremamente grande (alto
nível de energia), sente pequena atração do núcleo;
o Banda de energia chamada banda de condução;
o Conduzem correntes altas sob ação do campo elétrico.
Semicondutores
• Barra de silício com extremidades metálicas, polarizada.
• Há passagem de corrente?
• Depende da existência de elétrons que possam deslocar-se;
• Em 0 K os elétrons não podem se mover dentro do cristal;
• Elétrons de valência fortemente presos pêlos átomos de silício;
• Três primeiras faixas estão preenchidas,
• Elétrons dessas bandas não podem deslocar-se com facilidade porque não há
órbitas vazias.
• Acima da banda de valência está a banda de condução.
• À temperatura de zero absoluto a banda de condução está vazia;
• Não pode haver nenhuma corrente no cristal de silício.
1.2.2 - ACIMA DO ZERO ABSOLUTO
• Energia térmica quebra algumas ligações covalentes;

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• Elétrons saltam da banda de valência para a banda de condução;
• Nas órbitas de banda de condução, os elétrons estão fracamente presos pelos
átomos;
• Sob a ação do campo elétrico, estes elétrons livres movem-se para a esquerda e
estabelecem uma corrente.
• Elétron é bombeado para a banda de condução -> cria-se uma lacuna na banda
de valência.
• Banda de valência já não está mais saturada ou preenchida;
• cada lacuna na banda de valência representa uma órbita de rotação disponível.
• Quanto mais alta a temperatura, maior o número de elétrons de valência
empurrados para a banda de condução e maior a corrente.
• À temperatura ambiente (cerca de 25°C), a corrente é pequena demais para ser
utilizável.
• Nesta temperatura, um pedaço de silício não é nem bom isolante nem bom
condutor.
• É chamado semicondutor.
1.2.3 - SILÍCIO VERSUS GERMÂNIO
• Germânio é outro elemento tetravalente;
• Contém mais elétrons que o silício;
• Razão principal que fez o silício tornar-se totalmente superior ao germânio na
fabricação de diodos, transistores e de outros componentes semicondutores.
• Falta de elétrons livres no silício puro constituir-se numa vantagem enorme.
1.2.4 - CORRENTE DE LACUNAS
• Lacunas num semicondutor também produzem uma corrente.
• Semicondutor oferece dois trajetos para a corrente,

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Banda de condução (órbitas maiores)
Banda de valência (órbitas menores)
Corrente da banda de condução num semicondutor é semelhante à
corrente no fio de cobre;
Corrente da banda de valência é bem diferente.
• Elétron é excitado para a banda de condução;
• A lacuna que é criada atrai o elétron de valência em A;
• Com uma pequena variação na energia, o elétron de valência em A pode se
deslocar para a lacuna.
• Lacuna inicial desaparece e uma nova lacuna aparece no ponto A.
• A nova lacuna em A pode atrair e capturar o elétron de valência em B.
• Quando o elétron de valência se desloca de B para A, a lacuna desloca-se de A
para B.
• Os elétrons de valência podem continuar a deslocar-se ao longo do trajeto
mostrado através das setas; as lacunas deslocam-se no sentido oposto.
1.2.5 - PARES ELÉTRON-LACUNA
• Tensão externa no cristal: força os elétrons a deslocarem-se.
• Dois tipos de elétrons móveis

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• Elétrons da banda de condução
• Elétrons da banda de valência (ou movimento das lacunas).
• Semicondutor puro, a existência de cada elétron da banda de condução garante a
existência de uma lacuna na órbita de valência de algum átomo.
• Energia térmica produz pares elétrons-lacuna.
• As lacunas agem como se fossem cargas positivas: indicadas com o sinal mais
1.2.6 - RECOMBINAÇÃO
• Órbita do elétron da banda de condução de um átomo pode interceptar a órbita
da lacuna de outro.
• Desaparecimento de um elétron livre e de uma lacuna é chamado recombinação.
• Quando ocorre a recombinação, a lacuna não se desloca mais para lugar algum,
ela desaparece.
• Processo está constantemente acontecendo num semicondutor.
• Energia térmica: mantém a produção de novas lacunas elevando os elétrons de
valência até a banda de condução.
• Meia vida:
o Tempo médio entre a criação e o desaparecimento de um par elétron-
lacuna;
o Varia de nanossegundos até vários microssegundos
o Depende da perfeição da estrutura do cristal e de outros fatores.
1.2.7 - DOPAGEM
• Cristal de silício puro (apenas átomos de silício): semicondutor intrínseco.
• Para a maioria das aplicações, não há elétrons livres nem causas suficientes num
semicondutor intrínseco para produzir uma corrente utilizável;
• Dopagem: introdução de átomos de impurezas num cristal de modo a aumentar
tanto o número de elétrons livres quanto o número de lacunas;
• Cristal dopado: semicondutor extrínseco.
1.2.7.1 - SEMICONDUTOR TIPO-n
• Átomos pentavalente: mais elétrons da banda de valência;
• Depois de formar ligações covalentes com quatro vizinhos, este átomo central
tem um elétron a mais que sobra;
• órbita de valência: não pode conter mais de oito elétrons,

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o elétron que sobra precisa percorrer uma órbita da banda de condução.
• Grande número de elétrons da banda de condução produzido
principalmente pela dopagem.
• Elétrons são portadores majoritários
• Existem apenas algumas lacunas, criadas pela energia térmica.
o Lacunas são os portadores minoritários.
o Silício dopado é conhecido como um semicondutor do tipo-n,
o n significa negativo.
• Átomos pentavalentes são chamados freqüentemente átomos doadores
• Exemplos de impurezas doadoras: arsênio, o antimônio e o fósforo.
1.2.7.2 - SEMICONDUTOR TIPO-P
• Usando impureza trivalente (três elétrons na órbita mais externa);

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• Cada átomo trivalente está cercado por quatro vizinhos
• Sete elétrons se encontrarão nas suas órbitas de valência.
o Aparece uma lacuna em cada átomo trivalente.
o Quantidade de impureza adicionada, pode-se controlar o número de
lacunas no cristal dopado.
• Semicondutor dopado com uma impureza trivalente: semicondutor do tipo-p
• Lacunas no semicondutor tipo-p excedem de longe os elétrons da banda de
condução.
• Lacunas são os portadores majoritários num semicondutor tipo-p,
• Elétrons de banda de condução constituem os portadores minoritários.
• Átomos trivalentes também são conhecidos como átomos aceitadores
• Cada lacuna que eles fornecem pode aceitar um elétron durante a recombinação.
• Átomos aceitadores: alumínio, o boro e o gálio.
1.2.8 - A Junção PN
• Cristal metade do tipo-p e metade do tipo-n;
• junção é a região onde se encontram os cristais;
• Um cristal pn é conhecido como diodo;
• cristal pn no instante de sua formação.
o lado p tem várias lacunas (portadores majoritários)
o lado n possui vários elétrons livres (portadores majoritários).
• não há nenhuma tensão externa aplicada
1.2.9 - CAMADA DE DEPLEÇÃO
• repulsão mútua,
o Elétrons livres no lado n difundem-se ou espalham-se em todas as
direções, inclusive através da junção.

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o Elétron livre sai da região n, cria-se um íon positivo nela.
o À medida que ele penetra na região p, o elétron livre torna-se um portador
minoritário.
• Com lacunas em volta dele, este portador minoritário tem uma vida média curta;
• Na região p, o elétron livre preencherá uma lacuna.
o Lacuna desaparece e o seu átomo torna-se um íon negativo;
o Cada elétron que se difunde através da junção, cria um par de íons.
• Os íons estão fixos na estrutura do cristal por causa da ligação covalente
o Conforme o número de íons aumenta, a região próxima à junção está
totalmente esgotada de elétrons livres e lacunas;
o Esta região é chamada de camada de depleção.
1.2.10 - BARREIRA DE POTENCIAL
• A intensidade da camada de depleção continua aumentando com cada elétron
que a atravessa até que se atinja um equilíbrio.
• Camada de depleção age como uma barreira impedindo a continuação da difusão
de elétrons livres através da junção;
• A repulsão interna da camada de depleção interrompe a difusão dos elétrons
livres através da junção.
• A diferença de potencial através da camada de depleção é chamada barreira de
potencial;
• A 25°C, esta barreira de potencial é aproximadamente igual a 0,7 V para os
diodos de silício;
• Diodo de germânio tem barreira de potencial de 0,3 V.
1.2.11 - POLARIZAÇÃO DIRETA
• Fonte cc aplicada através de um diodo;
• O terminal positivo da fonte está ligado ao material tipo-p, e o terminal negativo
ao material tipo-n;
• ligação desse tipo é chamada de polarização direta.

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1. Depois de sair do terminal negativo, ele entra pela extremidade direita do cristal.
2. Percorre a região n como um elétron livre.
3. Próximo à junção recombina-se e torna-se um elétron de valência.
4. Passa pela região p como um elétron de valência.
5. Depois de sair pela extremidade esquerda do cristal, ele segue para o terminal
positivo da fonte.
1.2.12 - BANDAS DE ENERGIA
• fluxo em termos de bandas de energia.
• barreira de potencial dá às bandas p um pouco mais de energia do que para as
bandas n - as bandas p são mais altas do que as bandas n.
• polarização direta empurra os elétrons da banda de condução na região n em
direção à junção.
• Ao entrar na região p, cada elétron encontra uma lacuna (percurso A).
• Ele continua a sua jornada em direção à extremidade esquerda do cristal como
elétron de valência.
• Elétron da banda de condução pode encontrar uma lacuna antes de atravessar a
junção.
• Elétron de valência pode atravessar a junção da direita para a esquerda;
• Isto deixa uma lacuna exatamente à direita da junção. Esta lacuna não dura
muito, ela é logo preenchida por um elétron de banda de condução (trajeto B).
• Independentemente de onde a recombinação ocorre, o resultado é o mesmo.
o Um fluxo estável de elétrons de banda de condução desloca-se em direção
à junção e preenche as lacunas próximas à junção.
o Os elétrons capturados (agora elétrons de valência) movem-se para a
esquerda formando um fluxo estável através das lacunas da região p.

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o Fluxo contínuo de elétrons através do diodo.
• à medida que os elétrons livres desaparecem ao longo dos trajetos A e B, eles
descem de um nível mais alto de energia para um outro mais baixo.
• À medida que decaem, irradiam energia na forma de calor e de luz.
1.2.13 - POLARIZAÇÃO REVERSA
• O semicondutor tipo-n é ligado ao terminal + e o semicondutor tipo-p é ligado
ao terminal –;
• Qual o efeito produzido pela reversão da polarização?
• Força os elétrons livres na região n a se afastarem da junção em direção ao
terminal positivo da fonte;
• Lacunas da região p também se deslocam da junção para o terminal negativo.
• Elétrons que saem deixam mais íons positivos próximos à junção, e as lacunas
ao se afastarem deixam mais íons negativos.
• Camada de depleção fica mais larga.
o Quanto maior a polarização reversa, maior torna-se a camada de depleção.
• A camada de depleção pára de aumentar quando a sua diferença de potencial se
iguala à tensão da fonte.
• Bandas de energia:
o A camada de depleção torna-se maior até que a sua diferença de potencial
se iguale à tensão da fonte.
o Quando isto ocorre, os elétrons livres e as lacunas param os seus
movimentos.
1.2.14 - CORRENTE DE PORTADORES MINORITÁRIOS
• Há alguma corrente depois da camada de depleção para ajustar-se a sua nova
largura?

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o Sim, uma corrente muito pequena.
o Energia térmica cria continuamente um número limitado de elétrons livres
e de lacunas de ambos os lados da junção (portadores minoritários).
• Corrente reversa produzida pelos portadores minoritários é chamada corrente de
saturação;
• O nome saturação se refere que não pode ter mais corrente do que a produzida
pela energia térmica.
• Aumentando-se a tensão reversa, não haverá aumento no número de portadores
minoritários criados termicamente;
• Somente um aumento de temperatura pode aumentar IS;
• Um diodo de silício tem um valor de IS muito menor do que um diodo de
germânio. Esta é uma das razões pelas quais o silício domina o campo dos
componentes semicondutores.
1.2.15 - CORRENTE DE FUGA SUPERFICIAL
• Além da corrente reversa através do cristal, há uma corrente pequena na
superfície do cristal.
• Esta outra componente da corrente reversa é chamada corrente de fuga
superficial
• Ela é produzida por impurezas da superfície que criam trajetos ôhmicos para
a corrente.
• corrente de fuga superficial é extremamente pequena.
1.2.16 - TENSÃO DE RUPTURA
• Aumento na tensão reversa atingirá um ponto de ruptura, chamado tensão de
ruptura do diodo. Para diodos retificadores a tensão de ruptura é geralmente
maior do que 50 V.
• Atingida a tensão de ruptura, o diodo pode conduzir intensamente.
• De onde provém subitamente os portadores?
• Considere um elétron livre produzido termicamente e uma lacuna dentro da
camada de depleção. Devido à polarização reversa, o elétron livre é empurrado
para a direita.
• À medida que se desloca, ele ganha velocidade.
• Quanto maior a polarização reversa, mais rápido desloca-se o elétron (o que
equivale que ele ganha mais energia).
• Pouco depois o elétron livre pode colidir com um elétron de valência;

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• Se o elétron livre tiver energia suficiente, ele pode desalojar o elétron de
valência, de modo a formar dois elétrons livres;
• Os dois podem se acelerar e desalojar outros elétrons de valência até ocorrer a
maior avalanche possível;
• Por causa do grande número de elétrons livres, o diodo conduzirá intensamente e
será danificado pela excessiva potência dissipada;
• Não se deve permite na maioria dos diodos que cheguem ao rompimento;
• a tensão reversa através de um diodo retificador é sempre mantida abaixo da sua
tensão de ruptura;
1.3 - Curva Característica do Diodo
1.3.1 – Componentes Lineares
• Lei de Ohm: corrente em um resistor é proporcional à tensão aplicada;
• Resistor de 500 Ω
• Reversão da tensão não produz efeito sobre a linearidade

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• Resistor é um componente linear
• componente passivo – dissipa potência
• bateria – componente ativo
1.3.2 – Gráfico do Diodo
• Símbolo esquemático do diodo retificador
• Lado p – anodo
• Lado n – catodo
• Polarização Direta / Reversa com fonte de tensão
• Medições de corrente e tensão
• Diodo é não-linear
• Tensão de joelho: diodo não conduz até ser atingido potencial maior que
a tensão da barreira de potencial (tensão de limiar);
•
• Para tensões maiores que a tensão de limiar, a corrente aumenta
consideravelmente;

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• Acima da tensão de limiar, a corrente é limitada apenas pela resistência
de corpo – resistência ôhmica da região p-n, que é linear;
• Diodo associa duas resistências
o uma altamente não-linear da junção PN (abaixo de 0,7 V);
o outra linear, da região P e N fora da camada de depleção (acima
de 0,7 V);
• Região reversa: corrente de saturação pequena (corrente de fuga), da
ordem de nano ou micro amperes;
• Tensão de ruptura: -BV – avalanche provoca aumento brusco na
corrente reversa;
• Resistor no circuito com Diodo:
o Usado em série com o diodo (figura 2.16.b);
o Resistor limitador de corrente;
o Valor de RS de forma a manter a corrente máxima direta abaixo
da especificação;
1.3.3 – Reta de Carga
o Determinação exata do valor de corrente e tensão no diodo;
o A corrente no circuito é:
s
S
R
VV
I
−
=
o Se, VS = 2 V e RS = 100 Ω, então:
100
V2
I
−
=
o Pontos de cruzamento nos eixos :
o V = 0 (I = 20 mA) – ponto de corte
o I = 0 (V = 2V) – ponto de saturação
o Outros valores permitem calcular os pontos da reta de carga
o Ponto Q (quiescente) – ponto de operação
o Ponto de intersecção entre a reta de carga e a curva do diodo;
o VQ = 0,75 V e IQ = 12,5 mA;
o Outras retas de carga:

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S
S
R
V
I = e SVV =
o Exercício
o Calcule a reta de carga para VS = 3 V e RS = 100 Ω e determine o
ponto quiescente.
1.3.4 – Circuitos Equivalente dos Diodos
• Tensão de limiar: aproximações de 10%;
• Primeira aproximação: Diodo Ideal
o Condução direta e bloqueio quando polarizado reversamente;
• Segunda aproximação:

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o Tensão de limiar constante de 0,7 V – inclusão de uma fonte dc;
• Terceira aproximação:
o Inclusão de uma resistência rB
Exercício
Usando a segunda aproximação, determine a corrente no diodo para o
circuito: Vs = 10 V, RS = 5 kΩ
1.3.5 – Funcionamento do Diodo com Tensão Alternada
• No semiciclo positivo da tensão alternada, o diodo fica polarizado
diretamente;
• No semiciclo negativo o diodo é polarizado reversamente;
• Exercício:
o No circuito dado, considere a tensão de entrada como uma senóide
com tensão de pico de 24 volts. Esboce a forma de onda de tensão e
corrente no diodo. Vs = 0 e Vs = 12 V.
1.4 - Circuitos Digitais Usando Diodos
• Portas Lógicas:

21
o Circuitos baseados em diodos e resistores podem realizar operações
lógicas.
o Porta OR
VA VB VC VS
0 0 0
0 0 5
0 5 0
0 5 5
5 0 0
5 0 5
5 5 0
5 5 5
o Porta AND
VA VB VC VS
0 0 0
0 0 5
0 5 0
0 5 5
5 0 0
5 0 5
5 5 0
5 5 5
V
V
V VS
R
VA
VB
VC
VS
R
+5V
R

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1.5 – Circuitos com Diodos Retificadores
• Transformador:
o Dois enrolamentos de cobre em chapas de material com alta
permeabilidade magnética;
o Terminais primário e secundário;
o máquina estática que transforma a tensão de alimentação (primário),
numa tensão de saída maior ou menor (secundário);
o acoplamento magnético;
o alto rendimento ( > 97%) ;
o mesma freqüência (geralmente 60 Hz) ;
• Retificação: processo de conversão de tensão alternada em tensão com uma
única polaridade;
• Tensão contínua: pode ser obtida com melhoria na tensão retificada.
1.5.1 – Retificador de Meia Onda
• Utiliza apenas um diodo;
• Semiciclo positivo: diodo polarizado diretamente;
• Semiciclo negativo: diodo polarizado reversamente;
• Tensão de Pico Inversa: Igual à tensão de pico do secundário do
transformador;
• Tensão Média (deduzir): 0,318 VPICO
1.5.2 – Retificador de Onda Completa (Retificador em Ponte)
• Maior valor médio e eficaz;
• Corrente balanceada em ambos os semiciclos;
• Semiciclo positivo: D2 e D3 polarizados diretamente
• semiciclo negativo: D1 e D4 polarizados diretamente

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• qualquer semiciclo, a tensão na carga tem a mesma polaridade;
• freqüência de saída é o dobro da freqüência de entrada;
• tensão de pico inversa: V2 (pico)
• Tensão Média (deduzir):
VCC = 0,636 V2 (pico)
1.5.3 - Filtro com capacitor de Entrada
• Tensão de saída de um retificador é um sinal pulsante;
• usado em: carga de baterias, motores CC
• alimentação de circuitos eletrônicos: tensão cc, constante
• Acoplamento de capacitor na saída do retificador
• Funcionamento:
o Tensão retificada (pulsante) sobre o capacitor;
o Capacitor é carregado até VP;
o Diodo entra em corte, polarizado reversamente pelo capacitor;
o Capacitor se descarrega através da resistência de carga;
o Constante de tempo elevada: carga diminua pouco no semiciclo negativo;
• No semiciclo positivo seguinte, o diodo conduz apenas quando a tensão na saída
do retificador supera a tensão no capacitor, carregando-o novamente.
• Ondulações de tensão na carga: regulação da fonte;
• Filtro com Retificador de Onda completa: Figura (e)

24
1.5.4 – Multiplicadores de Tensão
• Circuitos formados por dois ou mais retificadores de pico
• Produz tensão cc de saída igual a um múltiplo da tensão de pico da entrada;
• Usados em fonte de alimentação de alta tensão e baixa corrente
1.5.4.1 – Dobrador de Tensão de Meia Onda
• Figura 3.12 – Usa dois capacitores e dois diodos;
• Semiciclo negativo, D1 polarizado direto e D2 reverso;
• C1 se carrega com tensão VP
• Semiciclo positivo: D1 reverso e D2 direto;
• C2 se carrega com 2VP

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1.5.4.2 – Dobrador de Tensão de Onda Completa
• Carga em ambos os semiciclos;
• Não tem ponto de aterramento comum ligando entrada e saída;
1.6 - Circuitos Limitadores
• Retira tensões do sinal acima ou abaixo de um determinado nível;
• Usados para variar a forma de onda do sinal e proteger os circuitos.
1.6.1 – Limitador Positivo
• Figura 3.15 - ceifador;
• Retira partes positivas do sinal: todos semiciclos positivos são cortados ( <
0,7V ) ;

26
• Na polarização reversa, a tensão de entrada é aplicada à carga;
• RL deve ser bem maior que R
1.6.2 – Limitador Positivo Polarizado
• Desloca o nível de corte da tensão para V+0,7V
• dois limitadores de tensão positiva e negativa podem ser associados (Fig. 3-17)
• quando o nível da tensão de saída for muito grande, a forma de onda do sinal de
saída será próximo de uma onda quadrada;
1.6.3 - Grampo de diodos
• Interligação de um ou mais diodos que serve para grampear a tensão de saída;

27
1.6.4 – Grampeadores CC
• Soma tensão CC ao sinal alternado;
• Fig 3.19 – Grampeador cc positivo;
• Primeiro Semiciclo negativo: diodo conduz e carrega capacitor com VP
• Depois do pico negativo, diodo abre e a carga vê a associação da tensão do
capacitor mais a tensão da fonte;
1.7 – Outros Tipos de Diodos
• Diodos retificadores e de pequeno sinal: otimizados para retificação;
• Outros diodos podem ser usados em funções diferentes;

28
1.7.1. – Diodo Zener
• Região de ruptura deve ser evitada num diodo retificador;
• Diodo Zener: otimizado para trabalhar na região de ruptura (diodo de ruptura);
• Usado intensivamente em reguladores de tensão;
• Mantém a tensão de saída constante apesar de grandes variações da tensão de
entrada e da resistência da carga;
• De acordo com a dopagem, a tensão de ruptura varia de 2 a 200 V;
• Figura 4.1:
• ao atingir Vz (com IZT) , a tensão permanece constante;
• IZT – corrente zener máxima
1.7.2 – Diodo Emissor de Luz (LED – Light Emissor Diode)
• energia luminosa que os elétrons livres liberam ao atravessar a junção e
descerem para a banda de valência;
• usam diferentes elementos semicondutores para obter cores diferentes, inclusive
infravermelho;
• queda de tensão típica da entre 1,5 V a 2,5 V e corrente entre 10 e 50 mA;
• queda típica de 2 V ( calcular corrente na circuito da 4.11.a);

29
• Indicador de sete-segmentos (tabela de valores);
• Cada segmento é um LED;
• Pontos aterrados indicam quais segmentos estão acessos.
1.7.3 – Fotodiodo
• polarização reversa no diodo: corrente reversa devido ao fluxo de portadores
minoritários;
• energia luminosa sobre a junção PN pode desajolar elétrons de valência;
• quantidade de energia luminosa controlando a corrente;
• fotodiodo: diodo otimizado para sua sensibilidade a luz;
o janela permite que a luz chegue na junção;
• usado como fotodetetor: transforma luz incidente em grandeza elétrica;
• Optoacoplador
o Associa um LED a um fotodetetor num único dispositivo;
o isolação elétrica entre os circuitos - Megaohms

30
1.7.4 – Diodo Schottky
• Diodo comum pode entrar em corte facilmente quando a polarização é revertida;
• Com aumento da freqüência, as cargas armazenadas demoram a ser retirada e o
diodo conduz mesmo quando reversamente polarizado até que as cargas sejam
retiradas da junção;
• A retificação não é mais perfeita;
• Diodo Schottky:
o Emprega metal de um lado da junção e silício dopado do outro lado;
o Queda de tensão direta de 0,25V;

31
Lista de Exercícios sugeridos – Livro Texto: Malvino
Capítulo 2
2.4 – Qual a potência dissipada num diodo de silício com polarização direta
se a tensão for de 0,7 V e a corrente de 100 mA?
2.5 a 2.12; 2.15, 2.16
Capítulo 3
Onda senoidal
VPP = 2 VP ; VRMS = 0,707 VP ;
Retificador Meia Onda
Tensão Média: VCC = 0,318 V2(PICO)
Retificador Onda completa
Tensão Média: VCC = 0,636 V2(PICO)
3.2 – Um transformador tem uma tensão de secundário de 30 V ca. Qual a
tensão de pico através da resistência de carga? A tensão média? A corrente média
através da resistência de carga?
3.3 – Considere alguns tipos de diodos e sua especificação Io
1N914: I0 = 50 mA 1N3070: I0 = 100 mA
1N4002: I0 = 1 A 1N1183: I0 = 35 mA
Se a tensão no secundário for de 115 Va, qual o tipo de diodo dado na tabela
que pode ser usado?
3.4; 3.5; 3.11; 3.12;
Capítulo 4
4.1 – Um diodo zener tem 15 V aplicada sobre ele com uma corrente de 20
mA através dele. Qual a potência dissipada?
4.2 – Se um dido zener tiver uma especificação de potência de 5W e uma
tensão zener de 20 V, qual o valor de sua corrente IZM?
4.3 – Um diodo zener tem uma resistência zener de 5 Ω. Se a corrente variar
de 10 a 20 mA, qual a variaçãode tensão através do diodo zener?

32
4.4 – Uma variação de corrente de 2 mA através de um diodo zener produz
uma variação de tensão de 15 mV. Qual o valor de resistência zener?
4.5 – O Diodo zener da figura 4.23a tem uma tensão zener de 15 V e uma
especificação de potência de 0,5 W. Se VS = 40 V, qual o mínimo valor de RS que
impede que o diodo zener seja destruído.
4.6 – Use os mesmo dados do problema anterior, com RS = 2 kΩ. Qual o
valor da corrente zener? Qual a potência dissipada pelo diodo?
4.10 – Na figura seguinte, qual o valor aproximado da corrente zener para
cada uma das seguintes resistências de carga:
RL = 100 kΩ ; RL = 10 kΩ ; RL = 1 kΩ
4.11, 4.12; 4.19; 4.23; 4.24; 4,25;

Capitulo 1 diodos

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