el hueco de semiconductores - recombicambición y tiempo de vida
- 1. FACULTAD DE SISTEMAS, ELÉCTRONICA E INDUSTRIAL NIVELACIÓN ELECTRÓNICA – MATUTINO PROYECTO DE AULA NOMBRE: JESSICA MIRANDA PARALELO: NIVELACIÓN ELECTRÓNICA – MATUTINO DOCENTE: MARCO SANCHEZ Parte 5
- 2. EL HUECO: La temperatura ambiente es la temperatura del aire circundante. Cuando dicha temperatura es mayor que el 0 absoluto (-273°C), la energía térmica del aire circundante hace que los átomos en un cristal de silicio vibren dentro del cristal. Cuando mayor sea la temperatura más intensas serán las vibraciones mecánicas de éstos átomos. Si se toca un objeto, el calor que transmite proviene de la vibración de los átomos. Las vibraciones de los átomos de silicio pueden, ocasionalmente hacer que se desligue un electrón del orbital de valencia. Cuando esto sucede, el electrón liberado gana la energía suficiente para situarse en un orbital de nivel energético mayor, en dicho orbital el electrón es un electrón libre. Pero eso no es todo. La salida del electrón deja un vacío que se denomina hueco, en el orbital de valencia y que se comporta como una carga positiva porque, como ya se ha visto la pérdida de un electrón produce ion positivo.
- 3. RECOMBINACIÓN Y TIEMPO DE VIDA: En un cristal de silicio puro se crea igual número de electrones libres que de huecos debido a la energía térmica (calor). Los electrones libres se mueven de forma aleatoria a través del cristal. En ocasiones, un electrón libre se aproximará a un hueco, será atraído caerá hacia él. Esta unión de electrón libre y de un hueco se llama recombinación. El tiempo que transcurre entre la creación y la desaparición de un electrón libre recibe el nombre de tiempo de vida, que varía desde unos cuantos nanosegundos a varios microsegundos, según la perfección del cristal y otros factores.