Memoria SDR

MEMORIA RAM
La memoria principal o RAM (Random Access Memory, Memoria de Acceso Aleatorio) es
donde el computador guarda los datos que está utilizando en el momento presente. El
almacenamiento es considerado temporal por que los datos y programas permanecen en
ella mientras que la computadora este encendida o no sea reiniciada.
Se le llama RAM por que es posible acceder a cualquier ubicación de ella aleatoria y
rápidamente

ARQUITECTURA BASE
En origen, la memoria RAM se componía de hilos de cobre que atravesaban toroides
de ferrita, la corriente polariza la ferrita. Mientras esta queda polarizada, el sistema
puede invocar al procesador accesos a partes del proceso que antes (en un estado de
reposo) no es posible acceder. En sus orígenes, la invocación a la RAM, producía la
activación de contactores, ejecutando instrucciones del tipo AND, OR y NOT. La
programación de estos elementos, consistía en la predisposición de los contactores
para que, en una línea de tiempo, adquiriesen las posiciones adecuadas para crear un
flujo con un resultado concreto. La ejecución de un programa, provocaba un ruido
estruendoso en la sala en la cual se ejecutaba dicho programa, por ello el área central
de proceso estaba separada del área de control por mamparas insonorizadas.
Con las nuevas tecnologías, las posiciones de la ferrita se ha ido sustituyendo por,
válvulas de vacío, transistores y en las últimas generaciones, por un material sólido
dieléctrico. Dicho estado sólido dieléctrico tipo DRAM permite que se pueda tanto
leer como escribir información.

TECNOLOGIA DE MEMORIA
La tecnología de memoria actual usa una señal de sincronización para
realizar las funciones de lectura-escritura de manera que siempre esta
sincronizada con un reloj del bus de memoria, a diferencia de las antiguas
memorias FPM y EDO que eran asíncronas. Hace más de una década toda
la industria se decantó por las tecnologías síncronas, ya que permiten
construir integrados que funcionen a una frecuencia superior a 66 MHz
(A día de hoy, se han superado con creces los 1600 Mhz.)

Memorias RAM con tecnologías usadas en la actualidad.

Tipos de memoria RAM
Trataremos estos cuatro, que son los principales, :
1) DRAM: Dinamic-RAM, o RAM DINAMICA, ya que es "la original", y por
tanto la más lenta.
Usada hasta la época del 386, su velocidad típica es de 80 ó 70
nanosegundos (ns), tiempo éste que tarda en vaciarse para poder dar
entrada a la siguiente serie de datos. Por ello, es más rápida la de 70 ns que
la de 80 ns.
Físicamente, aparece en forma de DIMMs o de SIMMs, siendo estos últimos
de 30 contactos.

2) Fast Page (FPM): a veces llamada DRAM (o sólo "RAM"), puesto que
evoluciona directamente de ella, y se usa desde hace tanto que pocas
veces se las diferencia. Algo más rápida, tanto por su estructura (el modo
de Página Rápida) como por ser de 70 ó 60 ns.
Usada hasta con los primeros Pentium, físicamente aparece como SIMMs
de 30 ó 72 contactos (los de 72 en los Pentium y algunos 486).

3) EDO: o EDO-RAM, Extended Data Output-RAM. Evoluciona de la
Fast Page; permite empezar a introducir nuevos datos mientras los
anteriores están saliendo (haciendo su Output), lo que la hace algo
más rápida (un 5%, más o menos).
Muy común en los Pentium MMX y AMD K6, con velocidad de 70, 60 ó
50 ns. Se instala sobre todo en SIMMs de 72 contactos, aunque existe
en forma de DIMMs de 168.

4)SDRAM: Sincronic-RAM. Funciona de manera sincronizada con la
velocidad de la placa (de 50 a 66 MHz), para lo que debe ser
rapidísima, de unos 25 a 10 ns. Sólo se presenta en forma de
DIMMs de 168 contactos; es usada en los Pentium II de menos de
350 MHz y en los Celeron.

PC100: o SDRAM de 100 MHz. Memoria SDRAM capaz de
funcionar a esos 100 MHz, que utilizan los AMD K6-2, Pentium II a
350 MHz y computadores más modernos; teóricamente se trata
de unas especificaciones mínimas que se deben cumplir para
funcionar correctamente a dicha velocidad, aunque no todas las
memorias vendidas como "de 100 MHz" las cumplen.
PC133: o SDRAM de 133 MHz. La más moderna y recomendable).

DRAM
• DRAM (Dynamic Random Access Memory) es un tipo de memoria
dinámica de acceso aleatorio que se usa principalmente en los
módulos de memoria RAM y en otros dispositivos, como memoria
principal del sistema.

HISTORIA
• La memoria dinámica DRAM , fue desarrollada en los laboratorios de IBM
pasando por un proceso evolutivo que la llevó de usar 6 transistores a sólo un
condensador y un transistor, como la memoria DRAM que conocemos hoy. La
invención de esta última la hizo Robert Dennard quien obtuvo una patente
norteamericana en 1968 por una memoria fabricada con un solo transistor de
efecto de campo y un condensador.
• Los esfuerzos de IBM estaban encaminados a mejorar sus equipos de cómputo
como por ejemplo la línea System 360: el modelo 25 en 1968 ya incluía un
ScratchPad (una especie de Caché) en forma de integrados 5 veces más rápidos
que la memoria principal basada en núcleos de Ferrita. Dado el modelo de
negocios de IBM que consistía en vender o arrendar computadores, un negocio
rentable, para IBM el uso de DRAM se reducía a ser el complemento de la
memoria principal basada en núcleos magnéticos. No hubo interés en
comercializar ese tipo de memorias para otros fabricantes ni tampoco se pensó
en usar las tecnologías de estado sólido tipo SRAM o DRAM para construir la
memoria principal. La empresa Intel fue creada para aprovechar esa oportunidad
de negocios: Gordon Moore, observaba que hace tiempo la industria de los
semiconductores se había estancado, a pesar de existir potenciales usos de los
integrados de silicio como la fabricación de memorias SRAM y DRAM.[

Velocidad alta: en la actualidad se fabrican
integrados con millones de posiciones y ventaja es la posibilidad de
velocidades de acceso medidos en construir memorias con una
gran densidad de posiciones
millones de bit por segundo. y que todavía funcionen a
una velocidad alta.

Es una memoria volátil, es decir
cuando no hay alimentación
eléctrica, la memoria no guarda la características
información. Inventada a finales
de los sesenta, es una de las
memorias más usadas en la
actualidad.

Se denomina dinámica, ya
que para mantener
La implementación DRAM se basa en una almacenado un dato, se
topología de Circuito eléctrico que requiere revisar el mismo y
permite alcanzar densidades altas de recargarlo, cada cierto
memoria por cantidad de transistores, período, en un ciclo de
logrando integrados de decenas o cientos refresco.
de Megabits.

Modo de tratamiento de la
información
Los pasos principales son:
Las columnas son precargadas a un voltaje igual a la mitad del voltaje de 1 lógico. Esto
es posible ya que las líneas se comportan como grandes condensadores, dada su longitud
tienen un valor más alto que la de los condensadores en las celdas.
Una fila es energizada por medio del decodificador de filas que recibe la dirección y la
señal de RAS. Esto hace que los transistores conectados a una fila conduzcan y
permitiendo la conexión eléctrica entre las líneas de columna y una fila de
condensadores. El efecto es el mismo que se produce al conectar dos condensadores,
uno cargado y otro de carga desconocida: se produce un balance de que deja a los dos
con un voltaje muy similar, compartiendo las cargas. El resultado final depende del valor
de carga en el condensador de la celda conectada a cada columna. El cambio es pequeño,
ya que la línea de columna es un condensador más grande que el de la celda.
El cambio es medido y amplificado por una sección que contiene circuitos de
realimentación positiva: si el valor a medir es menor que el la mitad del voltaje de 1
lógico, la salida será un 0, si es mayor, la salida se regenera a un 1. Funciona como un
redondeo.
La lectura se realiza en todas las posiciones de una fila de manera que al llegar la
segunda parte de la dirección, se decide cual es la celda deseada. Esto sucede con la
señal CAS. El dato es entregado al bus de datos por medio de la lineo D.O. y las celdas
involucradas en el proceso son reescritas, ya que la lectura de la DRAM es destructiva.

Frecuencia de trabajo
Su velocidad típica es de 80 ó 70 nanosegundos (ns), tiempo éste que
tarda en vaciarse para poder dar entrada a la siguiente serie de datos.
Para acceder a una posición de memoria se necesita una dirección de
4 bits, pero en las DRAM las direcciones están multiplexadas en
tiempo, es decir se envían por mitades. Las entradas marcadas como
0 y 1 son el bus de direcciones y por el mismo entra la dirección de la
fila y después la de la columna. Las direcciones se diferencian por
medio de señales de sincronización llamadas RAS (del inglés Row
Address Strobe) y CAS (Column Address Strobe) que indican la entrada
de cada parte de la dirección.

MARCAS DE FABRICACION, PRECIO DE VENTAS ACTUAL
XFX HD-695X-ZNFC Radeon HD 6950 Tarjeta Grafica - 800 MHz Core - 1 GB DDR5 SDRAM - PCI Express 2.1 x16
(5000 MHz Memoria Clock - 2560 x 1600 - CrossFireX - HDMI - DisplayPort - DVI - MPN: HD695XZNFC)
A partir de US$239.99 en Amazon.com

EVGA 012-P3-1571-KR GeForce GTX 570 Tarjeta Grafica - 732 MHz Core - 1.28 GB GDDR5 SDRAM -
PCI Express 2.0 x16
(3800 MHz Memoria Clock - 2560 x 1600 - SLI - HDMI - DisplayPort - DVI - MPN: 012P31571KR)
A partir de US$326.37 en PROVANTAGE
Reembolsos y Ofertas Especiales: US$10.00 Oferta Limitada por Tienda disponible

XFX HD-697A-CNFC Radeon HD 6970 Tarjeta Grafica - 880 MHz Core - 2 GB DDR5 SDRAM - PCI Express
2.1 x16
(5500 MHz Memoria Clock - 2560 x 1600 - CrossFireX - HDMI – Puerto de Pantalla - DVI - MPN:
HD697ACNFC)

XFX HD677XZNLC Radeon HD 6770 Tarjeta Grafica - 850 MHz Core - 1 GB GDDR5 SDRAM - PCI
Express 2.1 x16
(4800 MHz Memoria Clock - 2560 x 1600 - CrossFireX - HDMI - DVI - VGA - MPN: HD677XZNLC)

ZOTAC ZT-50402-10L GeForce GTX 550 Ti Tarjeta Grafica - 1000 MHz Core - 1 GB GDDR5 SDRAM -
PCI Express 2.0
(4400 MHz Memoria Clock - 2560 x 1600 - SLI - HDMI - DisplayPort - DVI - MPN: ZT5040210L)

Crucial 8GB DDR3 SDRAM Modulo de Memoria
(8GB 2 x 4GB - 1066MHz DDR3-1066/PC3-8500 - Non-ECC - DDR3 SDRAM - 204-pin SoDIMM - MPN:
CT2KIT51264BC1067)

Crucial 2GB PC2-6400 800MHz DDR2 SODIMM Memoria
(MPN: CT25664AC800)
A partir de US$24.99 en PROVANTAGE

DUAL CHANNEL
VENTAJAS
Doble canal (en inglés: Dual Channel) es una tecnología para memorias aplicada en
las computadoras u ordenadores personales, la cual permite el incremento del
rendimiento gracias al acceso simultáneo a dos módulos distintos de memoria
(haciéndolo a bloques de 128 bits, en lugar de los 64 bits tradicionales desde el
inicio de la era Pentium en 1993). Esto se consigue mediante un segundo
controlador de memoria en el puente norte (northbridge) del chipset o
conjunto de chips.
Las mejoras de rendimiento son particularmente perceptibles cuando se trabaja
con controladoras de vídeo integradas a la placa base ya que éstas, al no contar
con memoria propia, usan la memoria RAM o memoria principal del sistema y,
gracias al

Detección y corrección de errores
Existen dos clases de errores en los sistemas de memoria, las fallas (Hard fails) que
son daños en el hardware y los errores (soft errors) provocados por causas
fortuitas. Los primeros son relativamente fáciles de detectar (en algunas
condiciones el diagnóstico es equivocado), los segundos al ser resultado de
eventos aleatorios, son más difíciles de hallar. En la actualidad la confiabilidad de
las memorias RAM frente a los errores, es suficientemente alta como para no
realizar verificación sobre los datos almacenados, por lo menos para aplicaciones
de oficina y caseras. En los usos más críticos, se aplican técnicas de corrección y
detección de errores basadas en diferentes estrategias:
• La técnica del bit de paridad consiste en guardar un bit adicional por cada byte de
datos, y en la lectura se comprueba si el número de unos es par (paridad par) o
impar (paridad impar), detectándose así el error.
• Una técnica mejor es la que usa ECC, que permite detectar errores de 1 a 4 bits y
corregir errores que afecten a un sólo bit. Esta técnica se usa sólo en sistemas
que requieren alta fiabilidad.
Por lo general los sistemas con cualquier tipo de protección contra errores tiene un
costo más alto, y sufren de pequeñas penalizaciones en desempeño, con respecto
a los sistemas sin protección. Para tener un sistema con ECC o paridad, el chipset
y las memorias deben tener soporte para esas tecnologías. La mayoría de placas
base no poseen dicho soporte.
Para los fallos de memoria se pueden utilizar herramientas de software
especializadas que realizan pruebas integrales sobre los módulos de memoria
RAM. Entre estos programas

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