Practica 3
- 1. TIPOS DE MEMORIA NOMBRE: Jazmín Leonor Quezada Prado CURSO: 3ERO «C» DOCENTE: ING KARINA GARCIA 2013 -2014
- 3. Hay tres tipos de memorias RAM, la primeras son las DRAM, SRAM y una emulación denominada Swap RAM proviene de ("Read Aleatory Memory") ó memoria de lectura aleatoria: es un dispositivo electrónico que se encarga de almacenar datos e instrucciones de manera temporal, de ahí el término de memoria de tipo volátil ya que pierde los datos almacenados una vez apagado el equipo; pero a cambio tiene una muy alta velocidad para realizar la transmisión de la información.
- 4. las siglas provienen de ("Dinamic Read Aleatory Memory") ó dinámicas, debido a que sus chips se encuentran construidos a base de condensadores (capacitores). Memoria RAM tipo TSOP. Memoria RAM tipo SIP. Memoria RAM tipo SIMM. Memoria RAM tipo DIMM - SDRAM. Memoria RAM tipo DDR/DDR1 y SODDR. La siguiente lista muestra las memorias RAM en modo descendente, la primer liga es la mas antigua y la última la mas reciente: Memoria RAM tipo RIMM. Memoria G-RAM / V-RAM (Actual). Memoria RAM tipo DDR2 y SO-DDR2 (Actual). Memoria RAM tipo DDR3 y SODDR3(Actual). Memoria RAM tipo DDR4 y SO-DDR4 (Próxima Generación).
- 5. Memoria RAM tipo TSOP. Memoria RAM tipo SIP. TSOP proviene de ("Thin Small Out-line Package"), lo que traducido significa conjunto de bajo perfil fuera de línea. Son un tipo de memorias DRAM (RAM de celdas construidas a base de capacitores), los primeros módulos de memoria aislados que se introducían en zócalos especiales de la tarjeta principal ("Motherboard"). Estos chips en conjunto iban sumando las cantidades de memoria RAM del equipo SIP es la sigla de ("Single In-line Package"), lo que traducido significa soporte simple en línea: son los primeros tipos de memorias DRAM (RAM de celdas construidas a base decapacitores), que integraron en una sola tarjeta varios módulos de memoria TSOP, lográndose comercializar mayores capacidades en una sola placa. Las terminales se concentraron en la parte baja en forma de pines (30) que se insertaban dentro de las ranuras especiales de la tarjeta principal (Motherboard).
- 6. SIMM proviene de ("Single In line Memory Module"), lo que traducido significa módulo de memoria de únicamente una línea (este nombre es debido a que sus contactos se comparten de ambos lados de la tarjeta de memoria): son un tipo de memorias DRAM (RAM de celdas construidas a base de capacitores), las cuáles tienen los chips de memoria de un solo lado de la tarjeta y cuentan con un conector especial de 30 ó 72 terminales DIMM proviene de ("Dual In line Memory Module"), lo que traducido significa módulo de memoria de línea dual (este nombre es debido a que sus contactos de cada lado son independientes, por lo tanto el contacto es doble en la tarjeta de memoria): son un tipo de memorias DRAM (RAM de celdas construidas a base de capacitores), las cuáles pueden tener chips de memoria en ambos lados de la tarjeta ó solo de un lado, cuentan con un conector especial de 168 terminales para ranuras de la tarjeta principal (Motherboard).
- 7. DDR proviene de ("Dual Data Rate"), lo que traducido significa transmisión doble de datos (este nombre es debido a que incorpora dos canales para enviar los datos de manera simultánea): son un tipo de memorias DRAM (RAM de celdas construidas a base de capacitores), las cuáles tienen los chips de memoria en ambos lados de la tarjeta y cuentan con un conector especial de 184 terminales para ranuras de la tarjeta principal (Motherboard). También se les denomina DIMM tipo DDR, debido a que cuentan con conectores físicamente independientes por ambas caras como el primer estándar DIMM. RIMM proviene de ("Rambus In line Memory Module"), lo que traducido significa módulo de memoria de línea con bus integrado (este nombre es debido a que incorpora su propio bus de datos, direcciones y control de gran velocidad en la propia tarjeta de memoria): son un tipo de memorias RAM del tipo RDRAM ("Rambus Dynamic Random Access Memory"): es decir, también están basadas en almacenamiento por medio de capacitores), que integrancircuitos integrados y en uno de sus lados tienen las terminaciones, que sirven para ser insertadas dentro de las ranuras especiales para memoria de la tarjeta principal (Motherboard).
- 8. Es una tarjeta para expansión de capacidades que sirve para procesar y otorgar mayor capacidad de despliegue de gráficos en pantalla, por lo que libera al microprocesador y a la memoria RAM de estas actividades y les permite dedicarse a otras tareas. La tarjeta de video se inserta dentro de las ranuras de expansión ó "Slots" integradas en la tarjeta principal ("Motherboard") y se atornilla al gabinete para evitar movimientos y por ende fallas. Todas las tarjetas de video integran uno ó varios puertos para conectar los dispositivos externos tales como monitores CRT, pantallas LCD, proyectores, etc. DDR-2 proviene de ("Dual Data Rate 2"), lo que traducido significa transmisión doble de datos segunda generación (este nombre es debido a que incorpora dos canales para enviar y además recibir los datos de manera simultánea): son un tipo de memorias DRAM (RAM de celdas construidas a base de capacitores), las cuáles tienen los chips de memoria en ambos lados de la tarjeta y cuentan con un conector especial de 240 terminales para ranuras de la tarjeta principal (Motherboard). También se les denomina DIMM tipo DDR2, debido a que cuentan con conectores físicamente independientes por ambas caras como el primer estándar DIMM.
- 9. DDR-3 proviene de ("Dual Data Rate 3"), lo que traducido significa transmisión doble de datos tercer generación: son el mas moderno estándar, un tipo de memorias DRAM (RAM de celdas construidas a base de capacitores), las cuáles tienen los chips de memoria en ambos lados de la tarjeta y cuentan con un conector especial de 240 terminales para ranuras de la tarjeta principal (Motherboard). También se les denomina DIMM tipo DDR3, debido a que cuentan con conectores físicamente independientes por ambas caras como el primer estándar DIMM. Este tipo de memoria cuenta en su gran mayoría de modelos con disipadores de calor, debido a que se sobrecalientan. DDR-4 proviene de ("Dual Data Rate 4"), lo que traducido significa transmisión doble de datos cuarta generación: se trata de el estándar desarrollado por la firma Samsung® para el uso con futuras tecnologías. Al igual que sus antecesoras, se basa en el uso de tecnología tipo DRAM (RAM de celdas construidas a base de capacitores), las cuáles tienen los chips de memoria en ambos lados de la tarjeta, y según las imágenes liberadas por el sitio Web, 240 terminales, las cuáles están especializadas para las ranuras de las tarjetas principales (Motherboard) de nueva generación. También se les denomina DIMM tipo DDR4, debido a que cuentan con conectores físicamente independientes por ambas caras como el primer estándar DIMM.
- 10. La memoria ROM (Read Only Memory) o memoria de sólo lectura es una medio que permite el almacenamiento de información en computadoras y dispositivos electrónicos. Como su nombre lo indica, sólo es posible la lectura de los datos, no su escritura. Los mismos no pueden ser modificados.
- 11. PROM o PROGRAMMABLE READ ONLY MEMORY (ROM programmable): es una memoria de character digital en donde la valoración de un bit esta sujeta al estado de un fusible, el cual tiene la posibilidad de quemarse una única vez. EPROM o ERASABLE PROGRAMMABLE READ ONLY MEMORY (ROM programable y borrable): se refiere a un chip de memoria ROM constituido por celdas de transistores de puerta flotante. Éstos provienen de la fábrica sin ser cargados. En consecuencia son interpretados como 1. La programación de estos chips se realiza por medio de un dispositivo electrónico especial. ROM EEPROM o ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ ONLY MEMORY (ROM programable y borrable eléctricamente): como su nombre lo indica, esta clase de memoria ROM dispone de la capacidad de programación, borrado y reprogramación de forma eléctrica. No son memorias volátiles. FLASH: constituye una clase de EEPROM, la cual puede ser reprogramada en bloques. Es un dispositivo de almacenamiento que admite la lectura y escritura de un gran número de posiciones de memoria en una misma acción. Tiene una velocidad de funcionamiento superior al resto de las memorias ROM.