Electrónica: Aplicaciones transistor

APLICACIONES DEL TRANSISTOR
AMPLIFICADORES
Se estudiarán las diferentes clases de amplificadores como son los de audio para
pequeñas señales, los de potencia y los sintonizados, así como también los
diferentes acoplamientos que existen entre varias etapas de amplificación.
1. AMPLIFICADORES DE UNA ETAPA
1.1 CONFIGURACIÓN EMISOR – COMÚN

A. Resistencia de entrada:
Si RL
=5k, Rg
=500 ohmios, el transistor es el 2N929 polarizado en IC
=4mA y
VCE
=12V con parámetros hie=2,2k; hre=2x10-4
; hfe=290; hoe=30 μmhos
Ri.
=2,2 – (5x290x2x10-4
) / (1+(30x10-6
)(5000))=1,95KΩ
B. Ganancia de corriente:
C. Ganancia de voltaje:
El menos significa que la señal de salida está desfasada 180º respecto de la señal
de entrada.
D. Resistencia de salida:
Para calcular la resistencia de salida se cortocircuita la entrada (vg
=0) y se aplica
un voltaje vo
a los terminales de salida.

Ejemplo:
Determinar Ri, Ro, Ai, Av del siguientes circuito.
Transistor 2N929 operando en IC
=4mA, VCE
=12V, hie=2200Ω; hre=2x10-4
; hfe=290;
hoe=30x10-6
mhos; RL
=5000Ω; RE
=100W; Rg
=500Ω.

(a) Resistencia de entrada:
Transformando la fuente de corriente en fuente de voltaje:

(b) Ganancia de corriente:
(c) Ganancia de voltaje:
(d) Resistencia de salida:
Haciendo Vg
=0 y reemplazando RL
por una fuente de voltaje Vo aplicada a los
terminales de salida.
Reemplazando,

despreciando hre.RE
También se tiene que:
reemplazando en (2)
Ejercicio:
Determinar Ri
, Ro
, Av, Ai del circuito del ejemplo anterior en función de los
parámetros del circuito equivalente T.

1.2 CONFIGURACIÓN BASE COMÚN
El circuito equivalente es análogo al de emisor común con la diferencia de
que el subíndice “b” (base común) debe emplearse en lugar del subíndice “e”
(emisor común)
Ejemplo:
El transistor 2N929 opera en base-común con VCE
=12V, IC.
=4mA, Rg
= 10Ω,
RL
=5kΩ. Calcular Ri
, Ro, Av, Ai. Los parámetros son: hib=7,57Ω hrb=0,27x10-4
;
hfb=-0,996; hob=0,103 μmhos.
(a) Resistencia de entrada:
(b) Resistencia de salida:
(c) Ganancia de corriente:
(d) Ganancia de voltaje:
1.3 CONFIGURACIÓN COLECTOR COMÚN (SEGUIDOR EMISOR)
Las fórmulas para calcular la Ri, Ro, Ai y Av son análogas a las anteriores pero los
parámetros tienen subíndices “c”.

Ejemplo:
Determinar Ri, Ro, Ai, Av para la configuración colector-común si: RL
=5K
Rg
=500Ω; hic=2200Ω; hrc=0,9999; hfc=-291; hoc=30 μmhos
(a) Resistencia de entrada
(b) Resistencia de salida
(c) ganancia de corriente:
(d) Ganancia de voltaje:

1.4 DESEMPEÑO EN ALTA FRECUENCIA
En el rango de alta frecuencia los parámetros del transistor varían, especialmente
la ganancia de corriente a o b. La variación de a (hfb) es igual a :
f
α
, f
β
: Son las “frecuencias de corte” donde la ganancia de corriente disminuye al
0,707 (en –3dB) del valor en baja frecuencia.
Las frecuencias de corte dan una indicación de la capacidad del transistor en alta
frecuencia. Los fabricantes dan como frecuencia de corte fT
≈ f
α
≈ βo
f
β
.
Para analizar un circuito transistorizado en alta frecuencia se recomienda usar el
circuito equivalente π debido a que sus parámetros son relativamente constantes
en un rango muy amplio de frecuencia.
Al equivalente p se le agregan las capacidades parásitas (Cb’c, Cb’e) que hace
que el transistor no se comporte muy bien en alta frecuencia.
El circuito equivalente anterior se puede reemplazar por el siguiente circuito.

Teniendo en cuenta las ecuaciones (1) y (2) se puede encontrar este otro circuito
equivalente:
Ejemplo:
Para el circuito amplificador de la figura, calcular la frecuencia donde la ganancia
de voltaje cae a 0,707 de su valor en baja frecuencia.

rbb’=100 gm=0,138 mhos
rb’c=10M rb’e=2,1K
rce=435K cb’c=5pf
cb’e=250pf

C1
=Cb’e+ACb’c = 3675pf
El hecho de que se refleje cb’c a la entrada en forma amplificada se conoce con el
nombre de EFECTO MILLER.
Como la caída de voltaje a la salida en alta frecuencia es debida a la presencia de
las capacidades parásitas, con bastante aproximación se puede comparar con la
caída de voltaje en Vb’e.

(A) Encuentre la frecuencia de corte:
Para que vb’e caiga al 0,707 es necesario que:
(b) Encuentre la impedancia de entrada:

2. AMPLIFICADORES MULTI-ETAPAS
En muchos casos, no es suficiente un solo circuito amplificador para un
requerimiento de tensión, corriente y potencia pedido, y por lo tanto, se hace
necesario colocar varios amplificadores en cascada. Esto es, que la salida de un
amplificador sirve para excitar al siguiente.
De estas ecuaciones se obtiene:
Que simplificando se llega a:

En conclusión tenemos que las amplificaciones totales de tensión, corriente y
potencia son los productos de las ganancias de tensión, corriente y potencia de los
pasos individuales.
Redes de acoplamiento:
Debido a que los niveles de polarización de salida de paso de amplificación son
muy diferentes a los niveles de entrada, se usan entre las etapas de amplificación
redes de acoplamiento.
2.1 ACOPLAMIENTO POR RESISTENCIA-CAPACIDAD
La tensión de polarización a la salida de una etapa se puede aislar de la entrada al
paso siguiente colocando un condensador en serie con la salida, tal como se
muestra en la figura. Los condensadores de acoplamiento CC
actúan como
circuitos abiertos para las tensiones continuas de polarización y previenen la
acción recíproca de la tensión de polarización de salida de un paso con la entrada
del paso siguiente. Los condensadores de acoplamiento (CC
) y de desviación (CE
)
introducen límites para frecuencias bajas. Las capacidades parásitas limitan la
respuesta en frecuencias altas.
Suponiendo que CC1
, CE1,
CE2
son cortos circuitos a las bajas frecuencias, se tiene:

Ro1
= Resistencia de salida de la primera etapa.
Ri2
= Resistencia de entrada de la segunda etapa.
El punto donde la ganancia cae en 3 dB corresponde a w = w1

Ejemplo:
Los parámetros del circuito son:
RB
=1MΩ; Rg
=1kΩ; CE1
= CE2
= C1
= ∞; RL1
=RL2
=5kΩ
hie=2,2kΩ; hfe=290; hre=2x10-4
; hoe=30 μmhos; RE2
=1kΩ
(a) ¿Cuál es el valor de C2
si la ganancia debe caer 3dB en w= 500 rd/seg?
(b) Repetir la parte (a), omitiendo el condensador de desviación CE2
.

El valor del condensador se disminuye pero la ganancia de la segunda etapa se
reduce considerablemente.
Ejemplo:
Si los puntos de operación son:
Primera etapa: VCE
=5V IC
=1mA
Segunda etapa: VCE
=5V IC
=6mA
Determinar:
(a) Voltajes y corrientes de polarización de las etapas

(b) Ganancia de corriente, voltaje y potencia de cada una de las etapas.
2ª etapa:
1ª etapa:

Del manual de transistores, se tiene: (1ª etapa)
IC
=1mA y VCE
=5V: hie=5000Ω; hre=700x10-6
; hfe=99; hoe=20 μmhos.
Para la segunda etapa (IC
=6mA, VCE
=5V) se usan los parámetros de corrección
que da el manual:
hie=1280Ω, hre=320x10-6
hfe=115; hoe=84 μmhos.
Segunda etapa:
Etapa intermedia:
No toda la corriente de la salida de la primera etapa fluye hacia la entrada de la
segunda etapa para formar (i4
); por lo tanto, se debe averiguar esta atenuación
producida por la red interetapa.

Primera etapa:
Preprimera etapa:
(c) Ganancia total de potencia.
(d) Salida de Potencia

Po
= potencia de salida; Pi
= Potencia de entrada.
(e) Ganancia de voltaje.
2.2 ACOPLAMIENTO POR TRANSFORMADOR
Tiene como ventaja la óptima ganancia de potencia con un ajuste sencillo de
impedancia. La desventaja principal es el rango limitado de frecuencia.
En un transformador ideal si Rs
= resistencia del generador y RL
= resistencia de
carga, entonces para máxima transferencia de potencia es necesario que la
relación del número de espiras del transformador (n) sea igual a:
La inductancia del primario:
Ejemplo:
Si Rs
= 10k RL
= 100Ω wL
= 500 rd /seg

r1
= resistencia del bobinado primario
r2
= resistencia del bobinado secundario.
Se puede considerar aproximadamente que:
Ejemplo:
Para el circuito de la figura determinar L1
para que la salida caiga 3 dB en f=60Hz.
1/hoe = 33k. El circuito equivalente visto desde el colector es el siguiente:

Ejemplo:
En el circuito de la figura, determinar:
a) La resistencia R2
b) El valor de C1
para un quiebre en w=10 rad/seg
c) El valor de L1
para un quiebre en w=200 rad/seg
d) La ganancia de voltaje en w=200
a) Se supone:
Ic
= 10mA VE
=12V
VB
= 12+0,6 = 12,6

Rin
= (β+1)RE
Rin
= 381 x 1,2k = 458k
Como la Rin
es muy grande, se puede suponer que IB
≈0, entonces,
b) Valor de C1
c) Teniendo en cuenta las resistencias de los bobinados el circuito equivalente
visto desde el colector es:
r2
= resistencia del secundario = RL
/10 = 1Ω
r1
= resistencia del primario = Rs
/ 10 = 900Ω
d) La ganancia de voltaje en w=200

Esta es la amplificación en el colector, en la carga se debe tener en cuenta la
reducción de voltaje por el transformador (factor 1/30), la resistencia de los
bobinados (factor 9000/10800) y la reducción de los 3 dB (factor 0.707):
Ejercicio:
En el circuito de la figura anterior R1
= R2
= 10k RE
=1,5K, C1
=10uf y n=30. La
resistencia de carga RL
= 10Ω, las otras características son iguales al ejemplo
anterior. Calcular (a) La respuesta de frecuencia del amplificador, (b) la ganancia
de potencia a 1000HZ (c) la máxima salida de potencia.
2.3. ACOPLAMIENTO DIRECTO
Mejora la respuesta en baja frecuencia y además como los voltajes de salida
sirven de polarización a la entrada de la otra etapa se evitan las redes de
polarización.

Ejemplo:
Para el circuito, determinar a f=1khz, lo siguiente:
a) Resistencia de entrada
A la f=1Khz todos los CE
son cortocircuitados.
b) Ganancia de voltaje

c) El valor de C1
para que a f=60hz la amplificación caiga en 3dB.
d) la amplificación de voltaje si se adiciona una carga de 1000Ω
Ejercicio:
Para el circuito de la figura, determinar los parámetros no especificados, la
ganancia y la potencia de salida máxima, teniendo en cuenta que:
Q2
= 2N2907

Ic2
= 100mA re2
=0,26Ω, rb2
= 74Ω
β2
=100 = hfe2
hFE
=110, CE1
, CE2
= ∞
VCC
= 10V RL2
= 31Ω
Q1
=2N930
Re1
=11Ω rc1
= 2x106
IC1
= 10mA
β1
= hfe1
= 380 ; hFE
= 380
3 AMPLIFICADORES DE POTENCIA
En un sistema de amplificación que entrega una cantidad considerable de
potencia, las ganancias de voltaje y corriente son importantes en el sistema pre–
amplificador. En la etapa de salida se necesita una buena ganancia en Potencia.
La potencia está limitada por la juntura del transistor y ésta depende de la
resistencia térmica en la juntura.

Pc
= Disipación máxima permisible de la juntura del colector
Tj
= Temperatura máxima permisible de la juntura.
Ta
= Temperatura del ambiente
fja
= Resistencia térmica desde la juntura al ambiente.

Como sólo existe un punto de intersección entre la recta de carga y la curva de
disipación de potencia, entonces, el radical de la ecuación es cero, o sea:
Esta relación será verdadera sin importar el valor de RL
siempre que la recta de
carga sea tangente a la hipérbola PC
.
PT
= Potencia estática total = VCC
x ICQ
Ejemplo:
Diseñar una etapa de salida que entregue 17W de potencia máxima a un parlante
de 10Ω. La Ta
= 25ºC y Tjmax
= 80ºC. La placa disipadora logra una resistencia
térmica total de fja
= 1,3ºC/w.

Resistencia del transformador ≈ 38 /10 = 3,8Ω = RC
Resistencia de carga en el primario = 38Ω - 3,8Ω = 34,2Ω

VBepp
=0,8 – 0,1 = 0,7V
IBpp
= 29- (-3) = 32mA
3.1 AMPLIFICADOR PUSH-PULL (CONTRA FASE)
Estos amplificadores push pull se emplean para obtener las señales de salida
libres de distorsión. El más generalizado es aquel donde los transistores se
polarizan en clase B, o sea, la polarización se ajusta de manera que la corriente
estática sea cero. En esta conexión cada transistor trabaja cada medio ciclo.
En la figura siguiente se tiene el montaje de este amplificador.

Observando la forma de la señal de salida Ic
se nota la distorsión de cruce. Esta
es debida a que la corriente característica de transferencia tiene adicionalmente
un valor de VBE
para que la corriente de colector deje de ser cero. La alimentación
de tal distorsión se realiza polarizando los transistores en clase AB, o sea, con
una polarización un poco mayor a la de corte.

Ejemplo:
Para el circuito de la figura, determinar VCC.,
Po
., n, η, RL
´, R1
, R2
. Emplee el voltaje
máximo entre el colector y el emisor BVmax
= 45V. La resistencia térmica
fja
= 500ºC/W y Tjmax
=175ºC, Tamax
=70ºC.

PCC
= potencia entregada por la fuente.

Se ha supuesto que la corriente por R1
y R2
≈ 10 IB
x 2 Transistores
IBcresta
= 240 mA VBE cresta
=0,395V,
De los parámetros medidos del transistor, IBcresta
= 240mA, VBcresta
= 0,395V,
despreciando la distorsión VBE
= 0,15V

3.2 AMPLIFICADORES DE SIMETRÍA COMPLEMENTARIA
La ventaja de este amplificador es que no utiliza transformador de salida. El
funcionamiento es como sigue: Cuando la señal de entrada es positiva el transistor
Q1
conduce y entrega a la carga una corriente positiva y Q2
permanece cortado.
Cuando la señal de entrada es negativa Q2
conduce y Q1
queda cortado,
entonces Q2
entrega una corriente negativa en la carga. La forma de la onda de
la señal se reconstruye en la carga. Este circuito no necesita señales de entrada
en contrafase y se pueden usar condensadores de acoplamiento en la entrada.
El condensador C en ausencia de señal se carga a un voltaje Vc
= Vcc
/2
Por transistor:
La corriente Io
para la cual ocurre la máxima disipación de potencia en el transistor
es Io
= Vcc / pRL.
Reemplazando en la ecuación (1), se tiene:

Ejercicios:
1. En un amplificador de potencia clase A, el voltaje máximo permisible del
colector del colector es 40V y el límite para la corriente máxima de colector
es 300 mA. La temperatura máxima de funcionamiento de la juntura es de
175ºC cuando la temperatura ambiente es de 25ºC y la resistencia térmica
total es de 75ºC/W.
Determinar: (a) Pcmax, (b) RL
’ (c) Pomax
.
2. En un amplificador push – pull los transistores tienen una tensión máxima
permisible de 50V, el límite para la corriente de colector es de 250mA y
Pcmax = 2W. El amplificador debe diseñarse para Pomax. Determinar (a)
Vcc y RL
’ (b) Pomax.
3. En un amplificador de simetría complementaria se emplean transistores
para entregar 5W a un altavoz de 25Ω, determinar (a) Vcc (b) Pcmax
4. AMPLIFICADORES DE VIDEO
El amplificador de acople RC tiene un ancho de banda aceptable. Sin embargo, el
desarrollo de algunos campos de la electrónica tales como sistemas de radar, y
televisión involucran la necesidad de amplificadores con ganancia relativamente
constante hasta algunos megaciclos. Por ejemplo en un receptor de señales de
radar se requiere de un amplificador con un ancho de banda de 8 Mhz. Un
receptor de TV requiere una ganancia constante hasta de 4,5Mhz. Estos
amplificadores de banda ancha reciben el nombre de amplificadores de video
debido a su aplicación en TV aunque puedan encontrarse en sistemas que tengan
poca relación con la televisión. Su ancho de banda se extiende desde unos 30 Hz
o menos hasta unos 8 Mhz.

4.1. COMPENSACIÓN EN BAJAS FRECUENCIAS.
A causa del divisor de voltaje formado por el condensador de acoplamiento y la
resistencia de entrada de un paso de amplificación , la ganancia en bajas
frecuencias disminuye. Un circuito RC adicional se emplea para compensar esta
disminución. Este circuito es el paralelo Rd y Cd que se agrega en serie con Rc.
Para las frecuencias altas y medias la reactancia de este condensador es
aproximadamente cero, o sea, que el condensador a estas frecuencias se
comporta como un cortocircuito. En bajas frecuencias la reactancia capacitiva
aumenta trayendo como resultado que la impedancia de carga aumenta. De esta
forma al disminuir la frecuencia aumenta el voltaje de salida compensándose las
pérdidas. En la mayoría de los casos Rd ≥ 10 Xcd. Seguidamente se describirán
algunos de los métodos usados para mejorar la respuesta en altas y bajas
frecuencias de un amplificador usando técnicas de compensación.

Esta última ecuación nos indica que la respuesta en frecuencia es constante, o
sea, independiente de la frecuencia.
Se debe tener en cuenta que Rin >> Rc
y Rd
>>Rc como no se puede amplificar
hasta una f=0 debido a que Cc
es un circuito abierto a esta frecuencia, se hacen
las siguientes aproximaciones:

4.2 COMPENSACIÓN EN ALTAS FRECUENCIAS
La forma más general de mejorar la respuesta en altas frecuencias consiste en
agregar una inductancia en serie con la resistencia de carga. El principio de esta
compensación es hacer resonar la inductancia con la capacidad total efectiva en
paralelo en las proximidades de la frecuencia a la cual la ganancia empieza a
decrecer considerablemente.
Para bajas y medias Rc >> wL y por lo tanto su respuesta es independiente de L.

Para frecuencias bajas y medias w≈ 0, entonces, Vo / I ≈ Rc; Ao = Rc
Si Rc << Ri y Rc << 1/hoe, se tiene, Rc ≈ Rsh
Q = factor de calidad de la bobina.

Cuando Q2
= 0 la respuesta es la de un amplificador sin compensar. Al aumentar
Q2
aumenta el ancho de Banda. Graficando las dos últimas funciones se ve que la
amplificación cae bruscamente para valores de Q2
entre 0,0 y 0,439 y comienzan a
aparecer picos para Q2
mayores a 0,5. Para no tener picos de sobretensión se
emplea un Q2
óptimo de 0,439.
Si tampoco se quiere distorsión de fase en la salida f debe ser cero o proporcional
a la frecuencia.
td
(retardo de tiempo)= ϕ/w.
tdn
(retardo de tiempo normalizado) = w2
f / w = f2
ϕ/f = ϕ / (f/f2
)
Graficando el retardo de manera normalizada, se tiene que para Q2
entre 0,0 y
0,342 se reduce la distorsión de fase o distorsión de retardo, si Q2
mayor a 0,342
entonces la distorsión aumenta. Si se requiere mínima distorsión en amplitud y
fase, se debe escoger Q2
entre 0,342 y 0,439.

5. AMPLIFICADORES SINTONIZADOS
En muchas aplicaciones, tales como receptores, transmisores, etc, se emplean
amplificadores de banda estrecha que utilizan circuitos resonantes. Tales
amplificadores se denominan amplificadores sintonizados. En la siguiente figura se
muestra un amplificador sintonizado típico.
Para entender este amplificador es necesario comprender primero el circuito
resonante serie – paralelo.

En la mayoría de los amplificadores sintonizados Qo
>100
δ = frecuencia normalizada
En la figura se muestra las curvas de Z en función de f. Cuando la anchura de la
curva disminuye, se dice que el circuito es más selectivo.

B = ancho de banda.
B = f2
- f1
Combinando las dos expresiones:
Volviendo al amplificador sintonizado, tenemos que a estas frecuencias elevadas,
los condensadores de acoplamiento y de paso son corto – circuitos.

Ejemplo:
Diseñar un circuito sintonizado para fo
= 50 Khz con un ancho de banda = 10 Khz
suponiendo que ro
= 20KΩ, Co
= 20pf, Rin
= 20KΩ, Cin
= 30pf.

Para que exista buena transferencia de potencia es necesario que :
Para resolver este inconveniente se puede perder un poco de potencia y hacer,

OSCILADORES
Muy a menudo dispositivos electrónicos tales como receptores, transmisores y una
gran variedad de aparatos electrónicos de laboratorio deben generar una señal
senoidal a una frecuencia determinada. Para obtener estas señales se construye
un oscilador.
Puede considerarse un oscilador como un amplificador que tiene una señal de
entrada cero. Por tanto, para que haya una salida, la ganancia debe ser infinita.
Considérese la siguiente estructura osciladora:
Aplicando las ecuaciones de nodos en E1
y E2
:
La última ecuación quedaría:
Escribiendo las ecuaciones con admitancias, se tiene:

Como el numerador es cero, para que E2
tenga algún valor se necesita que D=0,
entonces,
Esta es una expresión compleja en la cual,
Como r es un número real, entonces B(w)=0 y r = G(w). Existe un solo valor de
w=wo
que satisface B(wo
)=0
El criterio de oscilación lo define NYQUIST y dice que es necesario r ≥ G(wo
).
En la figura se muestran algunos osciladores de radiofrecuencia típicos. En la
figura (a) la realimentación tiene lugar entre las bobinas acopladas. El oscilador de
la figura (b) se llama oscilador Colpitts. El circuito sintonizado consta de dos
condensadores C1
y C2
y la bobina L. El oscilador de la figura (c) se denomina
oscilador Hartley y su circuito sintonizado está formado por las bobinas L1
y L2
y el
condensador C. En estos dos últimos osciladores el choque de radiofrecuencia
(RFC) cumple la función de bloquear el paso de la C.A. RB
, RB1
, RB2
, CB
, RE
, CE
y
Ca se usan para polarizar el transistor.

CB
y CE
son cortos a la frecuencia de oscilación.
Aplicando el criterio de oscilación, se tiene:
Haciendo la parte imaginaria igual a cero, entonces:

Ejemplo:
Si hfe=51, hie=2kΩ hoe=50 μmhos; hre=0 Suponiendo Qo
=10 y si se quiere un
wo
=107
entonces, aplicando el último criterio, C≤12,5 μf
Para mejor estabilidad se escoge el mayor valor de C. C=12 μf.
Generalmente se incluye algún método de ajuste de f, ya sea variando L o C.
Las fórmulas generales y aproximadas para determinar la frecuencia de oscilación
de un oscilador LC, son:
7. OSCILADOR RC (PHASE – SHIFT)
Los osciladores discutidos en la sección anterior son importantes para la
generación de señales senoidales de alta frecuencia. Para bajas frecuencias los
valores de L y C resultan muy grandes. Debido a lo anterior, se utiliza el oscilador
RC (o de desplazamiento de fase) para la generación de estas bajas frecuencias.

Aplicando ecuaciones de malla, se tiene,

Reemplazando el valor de X en la expresión (1):
Desarrollando la expresión y reemplazando E = RL
.hfe.Ib

El criterio de BARKHAUSEN de oscilación dice que:
Ejemplo:
Determinar la frecuencia de oscilación y hfe mínimo requerido de un oscilador RC
si:
8. OSCILADOR DE CRISTAL
Si un oscilador va a funcionar con una frecuencia única, puede conseguirse una
estabilidad excepcional utilizando cristales piezoeléctricos. Estos cristales que a
menudo se fabrican de cuarzo, se deforman cuando se aplica una tensión entre
las caras opuestas (acortándose, alargándose o flexionándose). El fenómeno es
inverso, de modo que si se aplican fuerzas mecánicas entre sus caras, aparecen
cargas eléctricas en ellas. El fenómeno es conocido como “efecto piezoeléctrico”.
El cristal piezoeléctrico es un verdadero “transductor” electromecánico, por cuanto
transforma energía mecánica a eléctrica y viceversa. En acústica (elecroacústica
y ultrasonido) se aprovechan estos cristales como transductores Por su eficacia
en este aspecto, se prefieren en tal función los cristales de sal de Rochela, y los
de titanio de bario.

Los cristales de cuarzo utilizados actualmente con fines de estabilización de los
osciladores empleados en recepción y transmisión, cubren la amplia gama de
frecuencias desde aproximadamente 1khz a 150 Mhz. El límite inferior está
determinado por el máximo tamaño con que se encuentran en la naturaleza los
cristales de cuarzo. El límite superior queda establecido por las dificultades
tecnológicas que presenta el corte de placas de muy poco espesor.
Aunque el cristal tiene resonancia electromecánica, se puede representar la
acción del cristal por un circuito resonante equivalente como se muestra en la fig.
(a). La bobina y el condensador C representan equivalentes eléctricos de la masa
del cristal y de la dilatación mientras la resistencia R representa la fricción contra
la estructura interna. La capacidad en paralelo CM
representa la capacidad debida
al montaje mecánico del cristal. Como las pérdidas del cristal son pequeñas (R»0)
el factor de calidad (Q) del cristal es muy alto.
El cristal puede tener dos frecuencias de resonancia. Una condición de
resonancia ocurre cuando las reactancias de la porción serie RLC son iguales. En
este caso la impedancia es muy baja y el cristal tiene resonancia serie en f = fs
. La
otra condición de resonancia ocurre a una frecuencia más alta cuando la
reactancia de la porción resonante serie es igual a la reactancia del condensador
CM
. Esta es una condición de resonancia paralela y a la f = fp
la impedancia que
presenta el cristal es muy alta. La curva de impedancia en función de la
frecuencia se muestra en la figura (b).
Si el cristal se va a usar en su modo “resonancia serie” se debe conectar en tal
forma que la realimentación positiva sea alta. Esto se consigue conectando el
cristal como se indica en la figura (a) (tipo Pierce) debido a que su impedancia es
muy baja.

Como la impedancia del cristal en “resonancia paralela” es muy alta, éste se
conecta en paralelo como se indica en la figura (b). El cristal se comporta como
una inductancia de máximo valor (Q alto).
Ejercicios:
1. Calcule la frecuencia de oscilación para un Colpitts si L=100uH, C1
=0,005uf,
C2
=0,01uf, LRFC
=0,5 mH CC
=10uf.
2. Calcule la frecuencia de oscilación de un Hartley si LRFC
=0,5mH, L1
=750uH,
M=150uH C=150pf.
3. Seleccione los valores del condensador C y la ganancia hfe del transistor
necesarios para un oscilador de desplazamiento de fase a 5khz si RB2
=
24K; RB1
=75KΩ; RL
=18KΩ; R=6kΩ y hie=2kΩ

MULTIVIBRADORES
Una de las aplicaciones más importantes del transistor es como interruptor o
conmutador, además de la ya conocida como amplificador. El transistor tiene tres
regiones de operación: la región de corte, la región activa y la región de
saturación. Como amplificador el transistor opera en la región activa y como
interruptor en las regiones de corte y saturación. El paso de la región de corte a
saturación y viceversa es instantáneo y debido a esto se requieren transistores de
alta velocidad, de tal forma, que la respuesta a un pulso rectangular tenga tiempos
de subida y bajada muy pequeños.
A continuación se darán los valores típicos de voltajes en las uniones de un
transistor NPN a 25ºC.
Vγ = VBE
(arranque) es el voltaje entre base y emisor necesario para llevar el
transistor de la región de corte a la región activa. Para llevar un transistor a la
región de saturación es necesario que:
El transistor trabaja como interruptor en los diferentes tipos de multivibradores:
multivibrador bistable, monostable y astable.
9. MULTIVIBRADOR BISTABLE
El multivibrador bistable tiene dos estados estables que puede permanecer en
cualquiera de ellos indefinidamente y puede realizar una transición brusca de un
estado a otro mediante una excitación exterior. Al multivibrador bistable se le
conoce también con los nombres de circuito binario, disparador y flip – flop.

9.1 BINARIO ACOPLADO POR COLECTOR
Debido a la simetría del circuito se podría esperar que operando los transistores
en la región activa I1
=I2
. Este estado es inestable, debido a lo siguiente: Si I1
aumenta insignificantemente la tensión de salida VC1
disminuye. Esto hará que
baje la tensión de entrada VB2
. Esta variación es amplificada e invertida por el
transistor Q2
y por lo tanto, VC2
aumentará. Al aumentar VC2
aumenta VB1
y por lo
tanto disminuye VC1
aumentándose I1
. El proceso se repite continuamente, I1
sigue
aumentando e I2
sigue disminuyendo hasta que Q2
quede en corto y Q1
en
saturación que es el estado estable.
Ejemplo:
Calcular las corrientes y voltajes y comprobar el estado de los transistores para el
circuito de la figura. Suponer que los transistores tienen un mínimo hFE
=20,
RC
=2,2kΩ, R1
=15kΩ, R2
=100kΩ, VCC
=12V, VBB
= -12V. Supóngase que Q1
está
cortado y Q2
en saturación.

Electrónica: Aplicaciones transistor

Ejemplo:
Para el circuito binario autopolarizado de la figura, calcular las corrientes y
tensiones en estado estable. Hallar el valor mínimo de hFE
que mantiene a Q2
en
saturación. Los transistores son de germanio.
Para simplificar el circuito se realizan los equivalentes Thevenin en el colector y
en la base de Q2
.
En el colector:

En la base:
Circuito de base:
Circuito de colector:
Resolviendo estas dos ecuaciones, se tiene:

Como el valor mínimo necesario de VBE
para un transistor de germanio PNP es
o,1V para el estado de corte, Q1
está cortado.
En resumen, el estado estable tiene los siguientes valores:
VE
= -1,36V
Amplitud de salida = VC2
-VC1
=-1,46+10,8=9,3V
Con el objeto de mejorar el estado de transición (conducción a corte o de corte a
conducción) de los transistores se colocan condensadores aceleradores en
paralelo con la resistencia de acoplamiento, tal como se indica en la figura.
Este condensador produce una constante de tiempo aproximadamente igual a:
Que limita la frecuencia de funcionamiento a:

Formas de disparo
Existen dos clase de disparo, el asimétrico y el simétrico. Es asimétrico si se
aplica un pulso a cada transistor por separado para conmutarlo. La conmutación
se puede efectuar:
(a) Aplicando el nivel o pulso de disparo a un transistor en conducción para
cortarlo, propiciando así que conduzca el otro transistor.
(b) Aplicando el disparo a un transistor en corto a conducción provocando el corto
del otro transistor.
El disparo se puede hace por colector o por la base.

En la figura anterior se muestra un disparo asimétrico por base. Los diodos evitan
la transición de estados a los frentes positivos de los pulsos de entrada. En
ausencia de pulsos, ninguno de los diodos conduce. R≈ 5 a 10 veces RC
Inicialmente si Q1
= corte y Q2
= conducción, entonces:
En la figura siguiente se muestra el disparo asimétrico por colector. La
conmutación de los transistores y la salida Q al aplicarse el pulso en S y luego R
es similar al caso anterior. El disparo es por pulsos negativos.

Formas de onda:
El disparo asimétrico de un biestable es usado para este circuito flip flop R-S
(set reset).
El disparo simétrico se usa en aquellas aplicaciones donde se requiere que el
biestable cambie de estado con cada pulso de disparo. El flip – flop se denomina
entonces flip – flop T.
El disparo puede hacerse por la base o por el colector, sin embargo se
recomienda el siguiente método:

9.2 EL DISPARADOR SCHMITT
Es un comparador y su circuito es un biestable con acoplamiento por emisor como
el mostrado en la siguiente figura.
Al aumentar Vi
desde cero, Vo
permanecerá en el nivel inferior:
hasta que Vi
=V1
. Ver siguiente figura:

Cuando Vi
>V1
, el circuito realizará una transición brusca a su nivel superior (Vo
=
Vcc). Estando en este nivel alto al disminuir Vi
, la salida permanecerá en éste
nivel hasta que Vi
=V2
. Si Vi
<V2
el circuito pasará bruscamente al nivel inferior. En
resumen, el circuito presenta histéresis, o sea, que producen las transiciones para
valores diferentes de Vi
.
Aplicaciones:
1. Como comparador para determinar el momento en que una onda arbitraria
aplicada a la entrada alcanza un cierto nivel de referencia. Cuando Vi
supera a V1
o cae a V2
el circuito realiza una transferencia a su otro estado.
2. Como formador de ondas cuadradas.
Es necesario que:
Vi
>VH
= V1
-V2
La señal de salida es independiente de la señal de entrada con respecto a
su amplitud y forma de onda.
3. Como un F.F. disparándolo alternativamente con pulsos positivos y
negativos. Si la entrada se polariza a un nivel V2
<V<V1
y si Q1
=cort
Q2
=cond, un pulso positivo cuya amplitud supere a V1
-V hará que Q1
=cond;
Q2
= cort. Si se aplica un pulso negativo cuya amplitud supere a V-V2
entonces Q1
= cort, Q.2
= cond.

Ejemplo:
Si RC1
=4kΩ, RC2
=1kΩ, R1
=2kΩ, R2
=6kΩ, RE
=3kΩ, VCC
=12V y β=30, transistores
de silicio, determinar el valor de V1
=?, y V2
=?
V1
está definido como la tensión de entrada a la cual Q1
empieza a conducir. El
circuito cuando Q1
está justamente en el corte, es el siguiente (se ha hecho el
equivalente Thevenin en la base de Q2
).

V2
se define como el voltaje de entrada al cual Q2
cesa de conducir y se calcula
con el siguiente circuito, haciendo Thévenin en el colector de Q1
.

Ejercicios:
1. Diseñar un multivibrador biestable con una corriente ICsat
=30mA, si se
dispone de dos fuentes de 10V y transistores con las características
siguientes: b=40., VBE
=0,7V; y VCesat
= 0,3V
2. Diseñar un multivibrador biestable autopolarizado si se dispone de una
fuente de 10V y de transistores con las siguientes características:
VBE
»0,7V, VCES
=0,2V, b=30 para una ICsat
= 5mA.
3. Diseñe un disparador Schmitt que proporcione pulsos de 7,5V de
amplitud con V1
= 5V y V2
= 3V, si se dispone de una fuente de 15V,
transistores de silicio y ganancias de corriente tales que: 20 ≤ β ≤ 60
para Ic
=5mA
10. MULTIVIBRADORES MONOESTABLES
Estos multivibradores tienen sólo un estado estable permanente y otro estado
semiestable. Para que el MV pase del estado estable al semiestable se necesita
una señal de disparo. Permanece en este estado un tiempo determinado y vuelve
finalmente al estado estable sin necesidad de ninguna señal exterior. Debido a
que vuelve a su estado inicial en un tiempo T determinado por el circuito, se le
acostumbra llamar “circuito de retardo”.
10.1 MONOESTABLE ACOPLADO POR COLECTOR
Para la figura:
Estado estable:
Q1
= corte Q2
= saturación
VB2
= VBesat
VC2
=VCesat
VC1
=VCC
VB1
= VF
< 0,1V (Ge)

Estado semiestable:
Q1
= saturación Q2
= corte
VB1
= VBesat
VC1
=VCEsat
.

VB2
: Cambia instantáneamente su valor en Vcc-VCesat
y luego aumenta
exponencialmente hasta VB2
=VBE
con t=RC
Determinación de T:
Durante el tiempo T el circuito permanecerá en el estado semiestable. Durante
este tiempo aumentará la tensión en B2 y al pasar por la tensión de arranque Vr
se
corta Q1
, volviendo a su estado estable. Durante el estado semiestable Q2
permanece cortado y Q1
conduciendo. El circuito equivalente se muestra en la
figura siguiente, donde se ha hecho Thevenin en Q1
.
Aplicando la teoría vista en la deformación lineal para el circuito RC serie, tenemos
que:
Simplificando y haciendo VB2
= Vr
para t=T:

Ejemplo:
Diseñar un monostable para producir un pulso de duración de 200mseg, si se
cuenta con dos fuentes de 12V y 6V y transistores de silicio para una corriente
ICsat
= 20mA y β=25.
Se escoge una resistencia de 10K en serie con un potenciómetro de 2K para
ajustar el valor de T.

10.2 MONOESTABLE ACOPLADO POR EMISOR
En el circuito se ha eliminado el acoplamiento en el colector de Q2
y la base de Q1
;
la realimentación regenerativa se efectúa a través de RE
. El ancho de pulso T
varía linealmente con el valor de la tensión V.
Ejercicio:
Calcular los niveles de tensión de las ondas si: RC1
=6k, RC2
=5k, R=100k, RE
=4k,
V=5V, Transistores de germanio hfe = 50. En t=0-
: Q1
= corto. Q2
=saturación

Para t=0+
: Con el pulso de disparo el circuito entra al estado semiestable.

Para t = T-
: VB2
crece exponencialmente con una constante de tiempo
t =(R+Ro
)C hasta que Q2
alcance la tensión de arranque Vr
.
VB2
= VE
(0+
) + Vr
= 4,8+0,1= 4,9V.
Anchura del pulso de retardo.
De la forma de onda de VB2
se tiene:

Ejemplo:
(a) Encontrar una expresión del retardo en función de la tensión de entrada V.
(b) ¿Para qué valor de V se anula T?

Este es el valor mínimo de V=Vmin
necesario para que funcione el monoestable.
(c) Desarrollar T en serie de potencias de Vo
=V - Vmin
Vo
= V- Vmin
=V- 3,9
“El monoestable acoplado por emisor es un excelente convertidor tensión -Tiempo”.

Ejemplo:
Diseñar un MV monostable acoplado por emisor si T=1ms VOH
= 20V VOL
=10V;
transistores de silicio.
Tomando iC2
=10mA, β=100, iB2
>10mA/100= 0,1mA.
iB2
=1mA, Ibmax
=2mA

11. MULTIVIBRADOR ASTABLE
El circuito astable tiene dos estados semiestables, sin necesidad de una señal de
disparo, la configuración astable pasará sucesivamente de un estado semiestable
al otro. Es esencialmente un oscilador y se emplea como generador de ondas
cuadradas.
11.1 ASTABLE ACOPLADO POR COLECTOR
En el circuito de la figura, la variación del voltaje de alguno de los colectores se
acopla capacitivamente a la base del transistor opuesto, provocando una
transición temporal del estado del MV. Como ninguno de los transistores puede
permanecer cortado o prendido indefinidamente, ambos estados son
semiestables, obteniéndose en cualquier colector un tren periódico de pulsos
aproximadamente rectangulares sin necesidad de aplicar un pulso de disparo.

T1
= 0,69 RB1
C1
T2
= 0,69RB2
C2
Si RB1
y RB2
se conectan a una tensión auxiliar V, entonces:
Se concluye que T se puede variar, cambiando V, esto es, el circuito se comporta
como un convertidor tensión frecuencia.
Para obtener señales de salida con frentes rectos es conveniente aislar el circuito
de carga de los condensadores de las resistencias de colector. Esto se consigue
utilizando dos diodos y dos resistencias adicionales, como se muestra en la
siguiente figura.

Ejemplo:
Obtener una onda cuadrada de frecuencia f=10khz si se dispone de una fuente de
10V y transistores de silicio de b=50 suponiendo ICsat=10mA.
11.2 ASTABLE ACOPLADO POR EMISOR
Para el circuito de la figura:
VE1
= VBB
- VBE1sat
VC1
=VE1
+VCE1sat
=VB2

C tiende a cargarse a VE1
, como VC
aumenta, entonces VE2
disminuye. Si VE2
<VB2
-
Vr2
entonces, Q2
conduce y Q1
corte
VC1
= VB2
= VCC1
– RC1
IB2

El siguiente circuito utiliza una sola fuente de alimentación y hace que VCC1
/ VBB
=
cte, con lo cual mantiene T1
y T2
aproximadamente constante.

Ejemplo:
Determinar los valores de las formas de onda y los semiperiodos de la onda
cuadrada si:
RC1
’’
= 1k, RC2
= 200Ω, VCC
= 30V, RE1
= RE2
= 3kΩ
C= 0,1uf R2
= 2R1
RC1
’
= 1k β = 50.
Q1
sat Q2
cort
VE1
= 20 - 0,75=19,25
VC1
= 19,25+ 0,2=19,45=VB2
, VCC2
= 30= VC2
VE2
= 19,45- 0,5= 18,95 VC
= 19,25- 18,95= 0,3V
Q1
cort Q2
condu
VE2
= 25- 0,6=24,4 IE2
=24,4 /1,5K= 16,3 mA.
IB2
= 16,3 /50 = 0,326 mA
VE2
= 25- 0,326 x 0, 5K- 0,6 = 24,24V
VE1
= 24,24+ 0,3 = 24,54

Como VBB
=20V y VE1
=24,54  Q1
está en cort.
VC1
=25-0,326x0,5=24,84V
VC2
=30-16,3x0,2=26,74V
T1
=3x10-4
ln(25/20) = 66seg = T2
Ejemplo:
Diseñar un astable acoplado por emisor que genere la siguiente señal.
Sin condensador Q1
debe estar en la región activa y con condensador Q1
debe
estar saturado.

Ejercicios:
1. Determine las formas de onda de un MV monostable acoplado por colector
si RC1
=RC2
=1k, R=22k, R2
=60k, VCC
=15V, VBB
=10V, R1
=22K, C=820pf. Se
utilizan transistores de silicio con β=25
2. Determine los valores mínimos de RC1
y RE
requeridos para un MV
monostable acoplado por emisor, si VCC
=20V, V=3V, RC2
=1k, transistores
de silicio y β=100.
3. Diseñar un MV astable con acoplamiento por colector para generar una
onda rectangular con T1
=50 mseg, T=250mseg, si VCC
=12V, RC1
=RC2
=720Ω
y transistores de silicio con β=50.
12. GENERADOR DE BASE DE TIEMPOS
Un generador de base de tiempos es el que produce una señal de salida en forma
de diente de sierra. Una de las aplicaciones más importantes está en el TRC
(Tubo de rayos catódicos) ya sea, en un osciloscopio (deflexión electrostática) o
en un televisor (deflexión magnética). Esta generación de base de tiempos se
conoce comúnmente con el nombre de “señal de barrido” y se usa esencialmente
para desplazar el haz de electrones en el TRC horizontalmente.
El generador a estudiar enseguida se denomina GENERADOR BOOTSTRAP.
t =0-
: Q1
sat → Vc
=VCesat
→ Vo
=VCE1S
– VBE2
≈ 0

Para que Q1
esté en saturación es necesario que:
t = 0+:
Al aplicarse la señal de entrada Q1
cort, el condensador comienza a
cargarse y como se tiene un seguidor – emisor en Q2
, entonces, V0
≈ VC
. Si C1
es
lo bastante grande la tensión entre sus bornes no varía apreciablemente,
entonces, iR
≈ Cte.
t = TS
+
: El circuito entra en retroceso, entonces, conducción:

Ejemplo:
Un generador BOOTSTRAP tiene los siguientes parámetros: VCC
=20V, VEE
=10V,
R=5k,
Tg
=700 μseg, β =50
(a) Determinar un valor razonable de RB
RB
< βR=(50)(5kΩ) = 250kΩ
RB
=100kΩ.
(b) Determinar el valor de C para que TS
= 700 μseg.
TS
=RC C=700 μSeg / 5k = 0,14uf
(c) Determinar el valor de C1
para que el error por pendiente es
< 0,15%
(d) Determinar el tiempo de retroceso Tr
Para tiempos de barrido grandes C y por tanto C1
son demasiado grandes, pero a
la vez el tiempo de recuperación del circuito es elevado. Una forma de evitar este
problema es reemplazar el condensador por un Zener.

Despreciando VBE
y IB
, se tiene:
En condiciones de reposo
Al final del barrido

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