4. 半导体二极管 半导体基本知识 半导体的载流子——电子与空穴 N 型半导体和 P 型半导体 N 型半导体:在硅晶体中掺入五价磷元素形成。 自由电子为多子,空穴为少子。 P 型半导体:在硅晶体中掺入三价硼元素形成。 空穴为多子,自由电子为少子。 PN 结的形成 多子的扩散运动和少子的漂移运动达到动态平衡, P 区和 N 区的交界面附近形成“空间电荷区”,称为 PN 结。
5. PN 结的单向导电性 ( 1 )外加正向电压(正偏), PN 结导通;外加反向电压(反偏), PN 结截止。 ( 2 ) PN 结的伏安特性 u<U ON 时, PN 结截止; u>U ON 时, PN 结导通。 当 u<0 时, PN 结截止, I R =0 当 u<U RB 时, PN 结反向击穿。 ( 3 ) PN 结动态特性 二极管符号 符号 : U ON U (RB) I R 0 i u A K D
6. 半导体三极管 三极管的结构、符号、分类、特性曲线 结构:三极管有三个区 (发射区、基区、集电区) 三个极 ( e 、 b 、 c ) 两个结 ( 发射结、集电结) 分类、符号: NPN ( Si,Ge )、 PNP(Si,Ge) 型三极管 b e c b e c NPN型 PNP型
8. 三极管电路的三个工作区 截止区: U BE <U ON ( 导通电压 ) ,三极管处于截止状态 i B 0 , i C 0 , b 、 e 与 c 、 e 之间都近似开路。 放大区: U BE U ON ,即发射结处于正偏集电结处于反偏( c 点电位高于 b 点电位),此时三极管处于放大状态,并满足: =Ic/I B 饱和区: U BE >U ON ,即发射结正向偏置,集电结也正偏( c 点电位高 于 b 点电位)三极管失去电流放 大作用。管压降 U CE 称为饱和 压降 U CES ,流入 bc 极的电流称为饱和电流 I BS , I CS 。且有: I BS >I CS / : 定义为直流电流 IC 与 IB 的比值。
16. TTL 与非门 将 Rb 用二极管 D 3 代替,可得下图。 图中二极管 D 3 起电平偏移作用:当输入 A 和 B 有一个为 0.2v 时 D 3 的阳极电为 U A +U D1 =0.2v+0.7v=0.9v ,它小于 D 3 和 T 管发射结同时导通所需要的 1.4v ,从而保证 D 3 和 T 管可靠截止,使输出 F 为 Ucc 的逻辑 1 电位。当 A 和 B 皆为高电位 Ucc 时, D 1 和 D 2 截止,流过电阻 R1 的电流经过导通的 D 3 管流入 T 管的基极。使 T 管饱和,输出 F 为 0.2v 的逻辑 0 电位。实现了与非功能。 A B D 1 D 2 Ucc(+5v) R 2 F R 1 D 3
17. 在 TTL 集成电路中,将 D 1 、 D 2 和 D 3 用一个多发射极三极管代替,如图示, T 1 的两个发射结代替了 D 1 和 D 2 二极管, T1 的集电结代替了。 T1 主要用来实现与功能, T2 主要用来实现非功能。 图 4.2.5 A B D 1 D 2 Ucc(+5v) R 2 F R 1 D 3 A B Ucc(+5v) R 2 F R 1 T1 T2
18. 输入级 中间级 输出级 A B Ucc (+5v) R 2 F R 1 T 1 T 2 R 3 T 3 T 4 F D R 4 A B Ucc (+5v) R 2 F R 1 T 1 T 2 R 3 T 3 T 4 F D R 4
19. 三态 TTL 门 普通 TTL 门只有两种状态:逻辑 0 和逻辑 1 ,这两种状态都是 低阻 输出。三态逻辑输出门的第三态是 高阻 态输出,输出端相当于悬空。 A B G F 日美常用符号 & A B G EN 国标符号 三态门功能表:
20. 全加器 全加器:主要实现一位数值的加法运算 真值表为: 1 0 1 0 1 0 1 0 C n-1 1 1 0 0 1 1 0 0 B n 1 0 0 1 0 1 1 0 S n 1 1 0 0 0 0 1 1 0 1 1 0 0 0 1 1 C n A n
33. 2.1.4 8086 微处理器结构 1 、 EU 和 BIU 的组成和各功能单元的作用(续) 1) EU 通用寄存器 AX 、 BX 、 CX 、 DX 专用寄存器 SP 、 BP 、 SI 、 DI ( SP 堆栈指针; BP 基数指针; SI 源变址寄存器; DI 目的变址寄存器) 算数逻辑部件 ALU 标志寄存器 FLAG EU 控制逻辑
34. 1 、 EU 和 BIU 的组成和各功能单元的作用(续) 1 ) EU 标志寄存器 8086 使用 9 位标志位。分为状态标志和控制标志 2 类。 状态标志 6 位,表示指令执行后算逻部件的状态。 控制标志 3 位,指示 CPU 控制某种特定的功能,可通过指令来设定和清除。控制标志 DF 、 IF 、 TF 。
67. 2 、 最小模式下 的引脚说明 1 )地址 / 数据(或状态)信号 AD 15 ~ AD 0 (Address Data Bus) :地址 / 数据复用信号,双向, 三态。在 T 1 状态(地址周期) AD 15 ~ AD 0 上为地址信号的低 16 位 A 15 ~ A 0 ;在 T 2 ~ T 3 状态(数据周期) AD 15 ~ AD 0 上是数据信号 D 15 ~ D 0 。 A 19 /S 6 ~ A 16 /S 3 (Address/Status) :地址 / 状态复用信号,输出。在总周期的 T 1 状态 A 19 /S 6 ~ A 16 /S 3 上是地址的高 4 位。在 T 2 ~ T 4 状态, A 19 /S 6 ~ A 16 /S 3 上输出状态信息。 BHE # /S 7 (Bus High Enable/Status) :数据总线高 8 位使能和状态复用信号,输出。在总线周期 T 1 状态, BHE # 有效,表示数据线上高 8 位数据有效。在 T 2 ~ T 4 状态 BHE # /S 7 输出状态信息 S 7 。 S 7 在 8086 中未定义。
68. 2 、 最小模式下 的引脚说明 1 )地址 / 数据(或状态)信号 S6 :指示 8086 当前是否与总线相连, 0 表示 8086 连在总线上。 S5 :表示中断允许标志 IF 状态。 S5=1 表示中断 允许标志 IF=1 (可屏蔽中断允许)。 S 4 S 3 当前正在使用的段寄存器 0 0 ES 0 1 SS 1 0 CS 或未使用任何段寄存器 1 1 DS
79. CPU 所有的操作都以时钟信号为基准 CPU 按严格的时间标准发出地址,控制信号, 存储器、接口也按严格的时间标准送出或接受数据 . 这个时间标准就是由时钟信号确定。 CPU 的主频或内频指 CPU 的内部工作频率。 主频是表示 CPU 工作速度的重要指标, 在 CPU 其它性能指标相同时 , 主频越高 , CPU 的速度越快
80. CPU 的外频或系统频率指 CPU 的外部总线频率。 倍频系数指 CPU 主频和外频的相对比例系数。 8088/8086/80286/80386 的主频和外频值相同 ; 从 80486DX2 开始, CPU 的主频和外频不再相同, 将外频按一定的比例倍频后得到 CPU 的主频,即: CPU 主频 = 外频 × 倍频系数 PC 机各子系统时钟 ( 存储系统,显示系统,总线等 ) 是 由系统频率按照一定的比例分频得到。
81. 外频性能指标 8088CPU 频率 f : 1 秒内的脉冲个数 4.77MHz 周期 T = 1/ f 210ns 占空比:高电平在一个周期中的比例 1: 3 CLK T
83. CPU 通过总线完成与存储器、 I/O 端口之间的操作, 这些操作统称为总线操作。 三、总线周期 执行一个 总线操作 所需要的时间称为 总线周期 。 一个基本的总线周期通常包含 4 个 T 状态, 按时间的先后顺序分别称为 T 1 、 T 2 、 T 3 、 T 4 总线周期 T 1 T 2 T 3 T 4 CLK
84. 执行一条指令所需要的时间称为指令周期 。 执行一条指令的时间 : 是取指令、执行指令、取操作数、存放结果所需时间的总和。 用所需的时钟周期数表示。 四、指令周期 例 MOV BX, AX 2 个 T 周期 MUL BL 70~77 个 T 周期
85. 不同指令的执行时间 ( 即指令周期 ) 是不同的 ; 同一类型的指令,由于操作数不同,指令周期也不同 例 MOV BX, AX 2 个 T 周期 MUL BL 70~77 个 T 周期 MOV [ BX ], AX 14 个 T 周期