Tomas donner

ELECTRÓNICADE
POTENCIA
Realizado por: Tomas Donner
C.I.: 24242959

Partes de un equipo electrónico de
Potencia
Un Circuito de Potencia.-
Compuesto de semiconductores de
potencia y elementos pasivos, que
conecta la fuente primaria de
alimentacion con la carga.
Un Circuito de Control.- Procesa la
informacion proporcionada por el
circuito de potencia y genera las
señales de exitacion que determinan
el estado de los
semiconductores, controlados con una
face y secuencia conveniente.

Características
 Tener dos estados claramente
definidos, de alta y de baja impedancia.
 Poder controlar el paso de un estado a
otro con facilidad y con reducida
potencia de control.
 Ser capaces de soportar altas tensiones
cuando están bloqueados y elevadas
intensidades cuando están en
conducción.
 Rapidez de funcionamiento para pasar
de un estado a otro.

Aplicaciones de la electrónica de
potencia.
 Industriales:
Electrolisis, alarmas, soldadura,robotica.
 Transporte: Carcadores de
baterias, metro, electronica delauto.
 Distribución: Fuentes de energia
renovables, filtros activos.
 Aeroespaciales: almentacion de satélites y
lanzaderas.
 Comerciales: calefacción alimentación de
ordenadores y equipos.
 Domesticas:
Refrigeradores, iluminación, aire
acondicionado.
Consumo de Energía: Aplicaciones más usuales:
 El 65% esta estinado
a motores electricos
 El 20% está dedicado
a sistemas de
iluminación
 El resto es
consumidos por otros

Convertidores estáticos de
energía.
Los sistemas que transforman la energía suelen
denominarse convertidores de energía y son circuitos
electrónicos constituidos por un conjunto de elementos
estáticos formando una red que constituye un equipo
de conexión y transmisión entre un generador y una
carga.
Se clasifican de la siguiente manera:
 Rectificador no controlado.
 Rectificador controlado.
 Reguladores de C.A.
 Cicloconversores.
 Inversor.
 Convertidor CC/CC o Troceador.
Los tipos de dispositivos semiconductores de potencia usados como interruptores estaticos
son: diodos, tiristores(SCR, TRIAC y GTO) y transistores(BJT, MOSFET e IGBT).

DISPOSITIVOS DE
ELECTRÓNICA DE
POTENCIA
Universidad del Azuay Abril de
2010

Clasificación
 Controlados: Estos dispositivos no
disponen de ningún terminal de control
externo.
 Semicontrolados: Se tiene control
externo de la puesta en conducción,
pero no así del bloqueo del dispositivo.
 Totalmente controlados: en este
grupo encontramos los transistores
bipolares BJT, los transistores de efecto
de campo MOSFET, los transistores
bipolares de puerta aislada IGBT y los
tiristores GTO.

Diodos de Potencia
Un diodo semiconductor es una estructura P-N
que, permite la circulación de corriente en un
único sentido.
La tensión VF se refiere a la caída de tensión cuando el
diodo está conduciendo esta caída depende de la
corriente que circule. La tensión VR representa la
tensión de ruptura del dispositivo o, lo que es lo mismo,
la máxima tensión inversa que puede soportar el diodo
cuando éste está bloqueado.
Si se supera el valor de tensión de ruptura especificado
por el fabricante, el diodo puede llegar a destruirse por
excesiva circulación de corriente inversa.

En Régimen Transitorio cabe destacar dos
fenómenos.
1)Recuperación Inversa: El paso de
conducción a bloqueo no se efectúa
instantáneamente. El tiempo de
recuperación de un diodo normal es del
orden de 10 μs, siendo el de los diodos
rápidos del orden de algunos
nanosegundos.
2)Recuperación Directa: En el proceso de
puesta en conducción, la respuesta del
diodo es inicialmente de bloqueo a la
corriente. Siendo esta respuesta quien
provoca una sobre tensión Vfp,
ocasionada por la modulación de la
conductividad del diodo durante la
inyección de portadores minoritarios.

Tipos de Diodos
 Diodos Schottky: Se utilizan cuando se necesita una caída de tensión directa muy pequeña
(0,3 V típicos) para circuitos con tensiones reducidas de salida. No soportan tensiones
inversas superiores a 50 – 100 V.
 Diodos de recuperación rápida: Son adecuados en circuitos de frecuencia elevada en
combinación con interruptores controlables, donde se necesitan tiempos de recuperación
pequeños. Para unos niveles de potencia de varios cientos de voltios y varios cientos de
amperios, estos diodos poseen un tiempo de recuperación inversas (trr) de pocos
nanosegundos.
 Diodos rectificadores o de frecuencia de línea: La tensión en el estado de conducción (ON)
de estos diodos es la más pequeña posible, y como consecuencia tienen un trr grande, el
cual es únicamente aceptable en aplicaciones de la frecuencia de línea. Estos diodos son
capaces de bloquear varios kilovoltios y conducir varios kiloamperios. Se pueden conectar
en serie y/o paralelo para satisfacer cualquierrango de tensión o de corriente.

Tiristores
La conmutación desde el estado de bloqueo (“OFF”) al
estado de conducción (“ON”) se realiza normalmente por
una señal de control externa. La conmutación desde el
estado “ON” al estado “OFF” se produce cuando la corriente
por el tiristor es más pequeña que un determinado valor,
denominada corriente de antenimiento, (“holding current”),
específica para cada tiristor.
Dentro de la familia de los tiristores podemos destacar los
SCRs (tiristores unidireccionales) y TRIACs (tiristores
bidireccionales).

SCR (Rectificador Controlado de
Silicio)
Es el dispositivo que permite soportar mayores tensiones inversas
entre sus terminales y mayor circulación de corriente).
Si hay una tensión VGK positiva, circulará una corriente a través de
J3, con portadores negativos yendo del cátodo hacia la puerta. Por
la propia construcción, la capa P donde se conecta la puerta es
suficientemente estrecha para que parte de los electrones que
atraviesen J3 tengan energía cinética suficiente para vencer la
barrera de potencial existente en J2, siendo entonces atraídos por el
ánodo.
De esta forma, en la unión inversamente polarizada, la diferencia de
potencial disminuye y se establece una corriente entre ánodo y
cátodo, que podrá persistir aún sin la corriente de puerta.
Cuando la tensión VAK es negativa, J1 y J3 quedarán inversamente
polarizadas, en cuanto que J2 quedará directamente polarizada.
Teniendo en cuenta que la unión J3 está entre dos regiones
altamente dopadas, no es ca paz de bloquear tensiones elevadas,
de modo que cabe a la unión J1 mantener el estado de bloqueo del
componente.

Caracteristicas tensión-corriente
Una vez que el SCR empieza a conducir, éste permanece en
conducción, aunque la corriente de puerta desaparezca, no
pudiendo ser bloqueado por pulso de puerta. Únicamente
cuando la corriente del ánodo tiende a ser negativa, o inferior a
un valor umbral, por la influencia del circuito de potencia, el
SCR pasará a estado de bloqueo.
1. Zona de bloqueo inverso (vAK < 0): Ésta condición
corresponde al estado de no conducción en inversa,
comportándose como un diodo.
2. Zona de bloqueo directo (vAK > 0 sin disparo): El SCR se
comporta como un circuito abierto hasta alcanzar la tensión
de ruptura directa.
3. Zona de conducción (vAK > 0 con disparo): El SCR se
comporta como un interruptor cerrado, si una vez ha ocurrido
el disparo, por el dispositivo circula una corriente superior a
la de enclavamiento. Una vez en conducción, se mantendrá
en dicho estado si el valor de la corriente ánodo cátodo es
superior a la corriente de mantenimiento.

Activación y bloqueo de los SCR
1. Disparo por puerta.- Es el proceso utilizado normalmente para
disparar un tiristor. Consiste en la aplicación en la puerta de un
impulso positivo de intensidad, entre los terminales de puerta y
cátodo a la vez que mantenemos una tensión positiva entre ánodo y
cátodo.
2. Disparo por módulo de tensión.- Es el debido al mecanismo de
multiplicación por avalancha. Esta forma de disparo no se emplea
para disparar al tiristor de manera intencionada; sin embargo ocurre
de forma fortuita provocada por sobre tensiones anormales en los
equipos electrónicos.
3. Disparo por gradiente de tensión.- Una subida brusca del
potencial de ánodo en el sentido directo de conducción provoca el
disparo. Este caso más que un método, se considera un
inconveniente.
4. Disparo por radiación.- Está asociado a la creación de pares
electrón-hueco por la absorción de la luz del elemento
semiconductor. El SCR activado por luz se llama LASCR.
5. Disparo por temperatura.- El disparo por temperatura está
asociado al aumento de pares electrón - hueco generados en las
uniones del semiconductor. Así, la suma (a1+ a2) tiende
rápidamente a la unidad al aumentar la temperatura. La tensión de
ruptura permanece constante hasta un cierto valor de la

TRIAC
Es un tiristor bidireccional de tres terminales. Permite el paso de corriente del
terminal A1 al A2 y vivecersa, y puede ser disparado con tensiones de puerta
de ambos signos. Es en esencia la conexión de dos tiristores en paralelo pero
conectados en sentido opuesto y compartiendo la mismacompuerta.
La parte positiva de la onda (semiciclo positivo) pasará por el triac siempre y
cuando haya habido una señal de disparo en la compuerta, de esta manera la
corriente circulará de arriba haciaabajo.
La parte negativa de la onda (semiciclo negativo) pasará por el triac siempre y
cuando haya habido una señal de disparo en la compuerta, de esta manera la
corriente circulará de abajo hacia arriba.
Lo interesante es, que se puede controlar el momento de disparo de esta
patilla y así, controlar el tiempo que cada tiristor estará en conducción con esto
se puede controlar la corriente que se entrega a una carga y por consiguiente
la potencia que consume.

GTO (“Gate Turn-Off Thyristor”)
Es un tiristor con capacidad externa de bloqueo. La puerta permite
controlar las dos transiciones: paso de bloqueo a conducción y
viceversa.
Principio de funcionamiento
Su característica principal es su capacidad de entrar en conducción y
bloquearse a través de señales adecuadas en el terminal de puerta G.
El mecanismo de disparo es parecido al del SCR: suponiendo que está
directamente polarizado, cuando se le inyecta corriente a la puerta,
circula corriente entre puerta y cátodo. Como la capa de la puerta es
suficientemente fina, gran parte de los portadores se mueven hasta la
capa N adyacente, atravesando la barrera de potencial y siendo atraídos
por el potencial del ánodo, dando inicio a la corriente anódica. Si ésta
corriente se mantiene por encima de la corriente de mantenimiento, el
dispositivo no necesita de la señal de puerta para mantenerse en
conducción.
La aplicación de una polarización inversa en la unión puerta-cátodo
puede llevar a la abertura o bloqueo del GTO.

Factores de funcionamiento del
GTO
• Facilidad de extracción de portadores por el terminal de puerta –
esto es posible debido al uso de impurezas con alta movilidad.
• Rápida desaparición de portadores en las capas centrales – uso de
impurezas con bajo tiempo de recombinación. Esto indica que un
GTO tiene una mayor caída de tensión en conducción, comparado
a un SCR de dimensiones iguales.
• Soportar tensión inversa en la unión puerta-cátodo, sin entrar en
avalancha – menor dopado en la región del cátodo.
• Absorción de portadores de toda la superficie conductora – región
de puerta-cátodo con gran área decontacto.
Al contrario del SCR, un GTO puede no tener la capacidad de
bloquear tensionesinversa
Si la corriente por la puerta es positiva, el semiconductor pasará del
estado “OFF” al estado “ON”. Por el contrario, si la corriente por la
puerta es negativa, el semiconductor dejará de conducir, pasando
del estado de “ON” a “OFF”.

Transistores
En Electrónica de Potencia, los transistores generalmente son utilizados como
interruptores. Los circuitos de excitación (disparo) de los transistores se diseñan para
que éstos trabajen en la zona de saturación (conducción) o en la zona de corte
(bloqueo).
Tienen la ventaja de que son totalmente controlados.
Los tipos de transistores utilizados en los circuitos electrónicos de potencia son:
 BJT.
 MOSFET.
 IGBT.

BJT (“Bipolar Junction Transistor”)
Se trata de interruptores de potencia controlados por
corriente.
El BJT no soporta tensiones en el sentido opuesto
porque la elevada concentración de impurezas del
emisor provoca la ruptura de J1 en bajas tensiones (5 a
20 V).
La preferencia en utilizar el tipo NPN se debe a las
menores pérdidas con relación a los PNP, lo cual es
debido a la mayor movilidad de los electrones con
relación a los agujeros, reduciendo, principalmente, los
tiempos de conmutación del componente.
Pricipio de funcionamiento y
estrctura
En el caso de un transistor npn, los electrones
son atraídos del emisor por el potencial positivo
de la base. Esta capa central es suficientemente
fina para que la mayor parte de los portadores
tenga energía cinética suficiente para atravesarla,
llegando a la región de transición de J2, siendo
entonces atraídos por el potencial positivo del
colector.

Características estáticas
Su principal ventaja es la baja caída de tensión en saturación.
Puede trabajar en tres zonas de funcionamiento bien
diferenciadas
Corte: No se inyecta corriente a la base del transistor. Éste se
comporta como un interruptor abierto, que no permite la
circulación de corriente entre colector y emisor.
Activa: Se inyecta corriente a la base del transistor, y éste
soporta una determinada tensión entre colector y emisor.
La corriente de colector es proporcional a la corriente de
base.
Saturación: Se inyecta suficiente corriente a la base para
disminuir la vCE y conseguir que el transistor se comporte
como un interruptor cuasi ideal.

Conexión Darlington
Se conectan varios transistores de una forma estratégica para
aumentar la ganancia total del transistor.
Las principales características de esta configuración son:
o Ganancia de corriente β = β1 .(β2+1) + β2
o T2 no satura, pues su unión B-C está siempre
inversamente polarizada
o Tanto el disparo como el bloqueo son secuenciales. En el
disparo, T1 entra en conducción primero, dándole a T2 una
corriente de base. En el bloqueo (apagado), T1 debe
conmutar antes, interrumpiendo la corriente de base de T2.
La ventaja de este tipo de interruptores es que su caída de
tensión en conducción es bastante constante, si bien el precio
que se paga es la complejidad del circuito de control, ya que es
un semiconductor controlado por corriente.

MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect
Transistors)
Los MOSFET son transistores controlados por tensión. Ello se
debe al aislamiento (óxido de Silicio) de la puerta respecto al
resto del dispositivo.
Principio de funcionamiento y estructura
Cuando una tensión VGS > 0 es aplicada, el potencial positivo en
la puerta repele los agujeros en la región P, dejando una carga
negativa, pero sin portadores libres. Cuando esta tensión alcanza
un cierto valor umbral (VT), electrones libres presentes en la
región P son atraídos y forman un canal N dentro de la región P,
por el cual se hace posible la circulación de corriente entre D y
S. Aumentando VGS, más portadores son atraídos, ampliando el
canal, reduciendo su resistencia (RDS), permitiendo el aumento
de ID. Este comportamiento caracteriza la llamada “región
óhmica”.

Zonas de trabajo
Corte: La tensión entre la puerta y la fuente es más pequeña que
una determinada tensión umbral (VT), con lo que el
dispositivo se comporta como un interruptor abierto.
Óhmica: Si la tensión entre la puerta y la fuente (o surtidor) es
suficientemente grande y la tensión entre el drenador y la
fuente es pequeña, el transistor se comporta como un
interruptor cerrado, modelado por una resistencia,
denominada RON.
Saturación: Si el transistor está cerrado pero soporta una tensión
drenador-surtidor elevada, éste se comporta como una
fuente de corriente constante, controlada por la tensión
entre la puerta y el surtidor.
Uno de los inconvenientes de los transistores MOSFET es que la
potencia que pueden manejar es bastante reducida. Sin embargo,
son los transistores más rápidos que existen.
Otro de los inconvenientes de este tipo de transistores es que la
resistencia en conducción RON varía mucho con la temperatura y
con la corriente que circula, con lo que no se tiene un
comportamiento de interruptor casi ideal como en el caso de los

IGBT (Insulated Gate Bipolar
Transistor)
Reúne la facilidad de disparo de los MOSFET con
las pequeñas pérdidas en conducción de los BJT
de potencia. La puerta está aislada del dispositivo,
con lo que se tiene un control por tensión
relativamente sencillo. Funciona a centenas de
kHz, en componentes para corrientes del orden de
algunas decenas de Amperios.
Tiene una alta impedancia de entrada como el
MOSFET, y bajas pérdidas de conducción en
estado activo como el Bipolar, pero no presenta
ningún problema de ruptura secundaria como los
BJT.
Ademas es inherentemente más rápido que el BJT.
Sin embargo, la velocidad de conmutación del
IGBT es inferior a la de los MOSFETs.

Comparación entre los diferentes transistores de potencia

Tabla de prestaciones y Regiones de
utilización.
Prestaciones
Regiones de utilización

Características importantes en el diseño de circuitos de
EP.

Bibliografía
- “Power Electronics: Converters, Applications and
Design”, Mohan, Undeland y Robbins, John Wiley & Sons, 2ª
Ed, Nueva York, 1995.
- “Eletrónica de Potência”, J. A. Pomilio, Universidade Estadual de
Campinas, SP - Brasil.
- “Electrónica de Potencia”, D. W. Hart, Valparaíso University, Valparaíso
Indiana. Prentice Hall.
- "[eLeCtRoNiKa]", http://electronika2.tripod.com
- "SCR", http://www.inele.ufro.cl/bmonteci/semic/applets/pag_scr/pag_scr.
htm

Tomas donner

Más contenido relacionado

La actualidad más candente (20)

Similar a Tomas donner (20)

Más de 000001101 011010101 (14)

Último (20)

Tomas donner