Electronica I Clase03
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El documento presenta una agenda para la clase 3 de Electrónica I sobre simulación de circuitos con diodos, curvas características de diodos reales, corrientes de difusión, capacitancias parásitas, tiempos de encendido y apagado, y resistencia en corriente alterna. Se explican conceptos como circuitos sujetadores, la curva I-V de un diodo, cómo la corriente inversa de saturación aumenta con la temperatura, y los componentes y efectos de las capacitancias parásitas y tiempos transitorios
Electronica I Clase03
- 1. Electrónica I Clase 3 II Término, 2005
- 2. Agenda Recortadores: simulación Circuitos sujetadores y simulación Diodo Real: Curva Característica Corrientes de Difusión Capacitancias Parásitas Tiempos de Encendido y Apagado Resistencia en AC o Dinámica
- 5. Curva Característica del Diodo Real I D = Corriente del diodo I S = Corriente inversa de saturación V D = Voltaje aplicado T K = Temperatura absoluta en ºK = 273º + ºC K = 11600/n n =1, Ge n =2, Si
- 6. Corrientes de Difusión Producida por el flujo de portadores mayoritarios hacia el otro material, contribuyendo al incremento de portadores minoritarios en esa región. No depende de un campo magnético externo.
- 7. Corrientes de Difusión (cont.) Drift current is electrons and holes responding to an applied electric field. Holes move in the direction of the electric field while electrons move opposite the electric field. This occurs as long as there are carriers available. Diffusion current is holes and electrons moving from areas of high concentration, where they are the majority carrier, to areas of low concentration, where they become minority carriers. This occurs until they are uniformly distributed. Unlike drift, diffusion takes place without an electric field being present.
- 8. Efecto de la Temperatura La corriente inversa de saturación I S se duplicará en magnitud por cada 10ºC de incremento en la temperatura.
- 9. Capacitancias Parásitas Capacitancia de región de agotamiento (C T ), Intrínseca a la unión debido a que esta región actúa como un dieléctrico separando las conexiones del ánodo y el cátodo. Esta en el orden de los pico Faradios. Capacitancia de difusión (C D ), proporcional a la velocidad con la que fluyen las cargas (I D ). C = C T + C D
- 10. Tiempos de Encendido y Apagado p n Portadores mayoritarios e - Portadores minoritarios ( h ) Región de agotamiento Densidad de portadores Tiempo de Almacenamiento (t S ), tiempo que le toma a los portadores minoritarios regresar hacia la región de donde vinieron. Tiempo Transitorio (t T ), tiempo que le toma a la corriente de polarización inversa llegar a cero. Se forma la región de agotamiento. Estos parámetros varían con la temperatura o otras condiciones de operación. T rr = T S + T T , alrededor de 10 μ s I D t t rr
- 11. Resistencia en AC o Dinámica K = 11600/n = 11600 Considerando I D >>I S ->I S ≈ 0 Con n = 1, para el Silicio. T ambiente ( 25º C): T K = T C + 273 º = 25ºC + 273ºC = 298ºC